第一性原理
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一文贯通:从吸附能到 d 带中心 —— 第一性原理 + 电催化的完整研究框架
第一性原理+电催化的一体化研究路径:以DFT为核心,计算吸附能与自由能台阶,构建CHE模型与火山图,筛选HER/OER/ORR/CO₂RR活性位;结合NEB揭示过渡态与势垒,DOS…
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均方位移(MSD):在分子动力学模拟中的意义与应用
说明:本文华算科技重点介绍了均方位移(MSD)在分子动力学模拟中的应用与意义,并结合GROMACS进行了直观说明。 什么是MSD? 均方位移(mean squared displa…
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HOMO不显示?偏移很远?99%是因为这个原因!| MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:Materials Studio计算HOMO LUMO时可能出现HOMO不显示,或者偏移很远的问题。本次针对 HOMO 相关的常…
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吸附能 VS 结合能:定义、计算与应用
在理论计算与材料科学研究中,能量是评价体系稳定性与相互作用强度的核心物理量。其中,吸附能(adsorption energy)与结合能(binding energy)是被频繁使用的…
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氧空位调控:金属氧化物催化剂的电子、化学与催化性能优化
说明:氧空位是金属氧化物催化剂中常见而关键的结构缺陷,其形成可显著改变材料的电子、化学和催化性能。 过去研究表明,晶格中缺失一个氧原子常伴随留下两个电子,形成高活性的电子富集位…
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【VASP处理工具】CIF导出POSCAR,晶体模型光速建立,VaspView!!! DFT计算 华算科技
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP处理工具导入CIF文件生成POSCAR结构,支持CIF、POSCAR等格式,展示硅晶体周期性结构参…
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解密偏析能:从基础定义到高通量计算与复杂晶界设计
说明:本文华算科技围绕偏析能的定义、符号与物理解读展开,强调其表征溶质从基体迁移至晶界/表面的热力学驱动力;在方法上以DFT超胞与界面模型定量计算不同位点偏析趋势,并讨论自旋、价态…
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虚频:计算化学中识别过渡态的黄金标准
在理论计算与量子化学的语境中,虚频是一个贯穿结构优化、反应机理研究以及动力学模拟的关键概念。它不仅仅是计算结果中的一个“负数”,更是一种深刻的物理信号,表征着体系在势能面上的不稳定…
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什么是第一性原理?催化研究的核心工具与应用
说明:本文华算科技围绕第一性原理在电催化中的应用展开:以DFT为核心,从功能选择、截断能与k点收敛及自旋设置等计算细节入手,构建含真空的slab模型并结合隐式/显式溶剂与恒电位…
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能带理论在材料设计与性能预测中的基石作用
在固体物理与材料科学研究中,能带(band structure)是描述晶体中电子行为的核心物理量之一。通过分析材料中电子的允许能级与禁止能级区间,我们能够深入理解其导电性、光学响应…