球差电镜案例分享-FCC高熵合金TRIP或TWIP效应原子尺度变化机制

一、研究背景及意义

    高熵合金(HEA)和中熵合金(MEA)含有通常具有等原子比或接近等原子比的多个主元素,由于其独特且有前途的机械特性(例如高拉伸强度、上级延展性和优异的断裂韧性)而引起相当大的关注。控制这类新合金变形和断裂的基本机制仍需要补充分析。在本研究中,利用原子分辨扫描透射电镜(STEM)研究了中熵CrCoNi合金变形带的形核和长大机制,发现在变形初期,位错滑移是主要的变形方式,随着应变的增加,同时出现了形变孪晶和密排六方晶(HCP)片晶,对这些过程中位错的分析表明,CrCoNi合金中形变带的形核机制有两种:Mahajan等人提出的三层机制以及HCP相向孪晶的转变。在较大变形水平下多滑移系的激活导致基于偏差的机制的激活,还观察到许多HCP带保留并与纳米级孪晶重叠,导致短程HCP-孪晶堆叠,这有助于该合金的高加工硬化率。

二、成果速览

    通过原子分辨率球差电镜揭示了等原子比CrCoNi中熵合金的变形机制。研究发现该合金在早期变形阶段以平面位错滑移为主,伴随大量堆垛层错(SFs)的形成,其层错能测定为24±3 mJ/m²。随着应变增加,变形孪晶与六方密排(HCP)层片同时出现,其中90%的变形带为纳米级孪晶(平均厚度5.4±3 nm),10%为HCP相,二者形成短程堆叠的层状复合结构。这种独特的微观结构通过TWIP(孪晶诱导塑性)与TRIP(相变诱导塑性)协同效应显著提升加工硬化率。关键机制包括:Mahajan三层层错机制主导的孪晶成核过程,即共面位错反应形成外禀-内禀层错对进而演化为三原子层孪晶胚;HCP相变通过类似机制在非相邻滑移面形成四层HCP片层,并可进一步转化为孪晶(HCP→twin);高位错密度下基于位错偏转的Venables极机制和Cohen-Weertman模型促进孪晶增厚。实验首次在原子尺度证实了CrCoNi合金中纳米级孪晶与HCP片层的交错分布会阻碍位错运动,产生动态Hall-Petch效应和背应力强化,这解释了该合金兼具高强(~1 GPa)、高延展性(断裂应变~0.6)和优异断裂韧性(>200 MPa·m¹/²)的原因。研究还发现HCP层可作为孪晶源,通过HCP→twin转变形成层状亚结构,这种转变由HCP相内层错间新SPDs的形核和滑移驱动。该工作为设计高性能中/高熵合金提供了原子尺度的机制指导,揭示了成分复杂合金中变形机制与传统合金的差异性。

三、主要图表介绍

图 3在再结晶状态下,(b)ε=0.02,(c-d)ε=0.1,(e-f)ε=0.2(c,d,BF显微照片(a-c)是在靠近[-110]带轴处获得的,反射平面g = BF显微照片(d-f)是在反射面g = 111的[011]带轴附近获得的。

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图 4:在变形至ε=0.02的样品中获得的解离位错的TEM-WBDF显微照片,红色箭头指示全位错的Burgers矢量(b)两个SPD之间的分离距离是位错线和全位错的Burgers矢量之间的角度的函数。三条曲线表示使用公式(6)计算的不同SFE的部分位错分离。

 

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图 5:(a)在变形至ε=0.1的样品中形成的SF的低放大率HAADF-STEM显微照片。(B、d和f)示出了SF的三个不同区域中的原子分辨率HAADF-STEM显微照片,由(a)中的红色矩形标记。(B、d和f)。(c、e和g)示出了图10中由白色虚线矩形标记的区域的放大的HAADF-STEM。(B、d和f)。(c、e和g);(h)外-内断层对形成的示意图。

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图 6:(a)在变形至ε=0.1的样品中形成的SF/纳米孪晶薄片的低放大率HAADF-STEM显微照片。(B、d、f和h)示出了SF的四个不同区域中的原子分辨率HAADF-STEM显微照片,这四个区域在(a)中由红色矩形标记。(B、d、f和h)。(c、e、g和i)示出了(B、d和f和h)中由白色虚线矩形标记的区域的放大的HAADF-STEM。SF/纳米孪晶区域在(c、e、g和i)中由红色虚线标记。(j)三层孪晶的断层配置的示意图。

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图 7:(a)在变形至ε=0.1的样品中形成的四层HCP薄片的低放大率HAADF-STEM显微照片。(B、d和f)示出了四层HCP的三个不同区域中的原子分辨率HAADFSTEM显微照片,这三个区域在(a)中由红色矩形标记。(B、d和f).(c、e和g)示出了(B、d和f)中由白色虚线矩形标记的区域的放大的HAADF-STEM。(c、e和g)中由红色虚线标记的SF区域。(h)四层HCP的故障配置的示意图。

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图 8:显示六层(a)和八层(c)HCP相形成的原子分辨率HAADF-STEM显微照片(B和d)显示(a和c)中由白色虚线矩形标记的区域的放大HAADF-STEM。(e)六层和八层HCP形成的示意图。

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图 9:(a)在变形到ε=0.1的样品中形成的HCP/纳米孪晶薄片的低放大率HAADF-STEM显微照片。(b和c)呈现原子分辨率HAADF-STEM显微照片,突出显示六层HCP相到六层孪晶的转变以及六层孪晶到四层HCP相的转变。(B和c)中的两个区域在(a)中用红色矩形标记。(c和e)是在(B和c)中的白色虚线矩形中获得的放大的HAADF-STEM显微照片。移动和未移动的原子平面由白色线和白色虚线标记。

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图 10:HAADF-STEM显微照片显示变形至ε=0.1的样品中孪晶和HCP相的重叠。

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图 11:对于变形到ε=0.2的样品,(a)在倾斜图3(f)的区域远离110带轴之后的双束BF显微照片;(B)HAADF-STEM显微照片,其显示SF和初级孪晶的相互作用。

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图 12:孪晶和HCP相的成核机制的示意图。

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四、主要结论

       研究通过原子分辨率扫描透射电镜(STEM)系统揭示了等原子比CrCoNi中熵合金的变形机制及其与力学性能的关联。研究发现该合金在早期变形阶段以平面位错滑移为主导,伴随大量堆垛层错(SFs)的形成,其层错能测定为24±3 mJ/m²。随着应变增加,变形机制呈现复杂演化:约90%的变形带表现为平均厚度5.4±3 nm的纳米级孪晶,10%为六方密排(HCP)相,二者形成短程堆叠的层状复合结构。这种独特的微观结构通过TWIP(孪晶诱导塑性)与TRIP(相变诱导塑性)协同效应显著提升加工硬化率,具体表现为Mahajan三层层错机制主导的孪晶成核过程——即共面位错反应形成外禀-内禀层错对进而演化为三原子层孪晶胚,而HCP相变则通过类似机制在非相邻滑移面形成四层HCP片层并可进一步转化为孪晶(HCP→twin)。研究首次在原子尺度证实了CrCoNi合金中存在的三种关键强化机制:纳米级孪晶与HCP片层的交错分布产生的动态Hall-Petch效应、位错运动受阻形成的背应力强化,以及HCP层作为孪晶源通过HCP→twin转变形成的层状亚结构协同作用。这些发现从本质上解释了该合金兼具高强(~1 GPa)、高延展性(断裂应变~0.6)和优异断裂韧性(>200 MPa·m¹/²)的原因,同时揭示了成分复杂合金中变形机制与传统合金的差异性,特别是观察到HCP相可通过层错间新Schockley分位错(SPDs)的形核和滑移驱动转变为孪晶的创新现象,为设计高性能中/高熵合金提供了原子尺度的机制指导。

五、期刊信息

期刊名:Acta Material
DOI 号:doi.org/10.1016/j.actamat.2022.118049 

文章题目:Potential TRIP/TWIP coupled effects in equiatomic CrCoNi medium-entropy alloy

  

 

本文源自微信公众号:金属材料说

原文标题:《Acta I 球差电镜详解FCC高熵合金TRIP或TWIP效应原子尺度变化机制》

原文链接:https://mp.weixin.qq.com/s/3d9eTkYbFOic5Fdqk7rgig

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