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SEM与TEM区别解析

扫描电镜(SEM)与透射电镜(TEM)作为材料微观世界探索的两大支柱技术,均利用电子束成像,但原理与应用差异显著。深入理解其区别,有助于研究者精准选择工具,高效揭示物质微观奥秘。

 

核心原理

扫描电镜(SEM):

1.表面成像: 聚焦电子束在样品表面逐点扫描。

2.信号收集: 电子束轰击样品,激发产生多种信号(如二次电子、背散射电子、特征X射线)。

3.图像形成: 探测器收集特定信号(主要为二次电子),信号强度转换为对应像素点的亮度,逐点扫描构建样品表面形貌图像。主要反映表面/近表面信息。

SEM与TEM区别解析

 

透射电镜(TEM):

1.穿透成像: 高能电子束穿透超薄样品。

2.相互作用: 电子束与样品内部原子发生复杂相互作用(散射、衍射等)。

3.图像/衍射图形成: 透射电子束(及其携带的样品内部结构信息)经物镜等放大后,投射到荧光屏或探测器上,形成内部结构图像或衍射花样。提供样品内部晶体结构、晶格缺陷、相分布等核心信息。

SEM与TEM区别解析

样品要求

SEM:

厚度要求低: 样品通常只需尺寸合适,能放入样品仓即可。可观察块状、粉末、薄膜等多样形态。

导电性要求: 非导电样品需喷镀薄层导电材料(金、碳等),避免电荷积累影响成像。

相对简便: 制备过程通常较TEM简单快捷。

 

TEM:

超薄要求: 样品必须制备成电子束可穿透的极薄片(通常

复杂工艺: 常用技术包括:超薄切片、聚焦离子束(FIB)切割、离子减薄、电解双喷、化学减薄等,耗时耗力且对操作者技术要求高。

导电性要求: 同样需避免荷电效应,但超薄样品本身有时具有一定导电性。

 

 成像特征

SEM:

图像特点: 呈现三维立体感强的表面形貌图,景深大。

信息类型: 主要展示表面形貌、粗糙度、颗粒尺寸与分布、断口特征、涂层覆盖等。结合能谱仪(EDS)可进行微区元素成分分析。

直观性: 图像较直观,易于理解。

SEM与TEM区别解析

 

TEM:

图像特点: 呈现二维投影图像(明场像、暗场像、高分辨像等)。

信息类型: 揭示内部精细结构:晶体结构(晶格条纹像)、晶界、位错、层错、空位等晶体缺陷;纳米颗粒内部结构、核壳结构;生物大分子结构、细胞器超微结构等。结合选区电子衍射(SAED)可确定晶体结构、晶格常数、晶向等。

分辨率极限: 可达到原子级分辨率,直接观察原子排列。

SEM与TEM区别解析

 

分辨率与放大倍数

SEM: 常规钨灯丝SEM分辨率约3-6纳米;场发射SEM(FE-SEM)可达~1纳米或更高。放大倍数范围宽,通常从几倍到几十万倍。

 

TEM: 分辨率远高于SEM。普通TEM可达~0.2纳米;配备球差校正器(Cs Corrector)的先进TEM甚至能达到亚埃级(

 

主要应用场景

SEM 擅长领域:

材料表面形貌观察(金属断口、陶瓷表面、催化剂颗粒形貌、纤维表面、纳米材料形貌等)。

样品表面微区成分分析(EDS)。

大景深三维成像。

相对快速的样品筛查和宏观到微观的尺度衔接。

SEM与TEM区别解析

 

TEM 擅长领域:

材料内部微观结构分析(晶体缺陷、相变、界面结构)。

纳米材料内部精细结构表征(如量子点、纳米线、二维材料)。

原子级分辨率成像。

晶体结构鉴定(电子衍射)。

生物大分子结构解析(冷冻电镜Cryo-TEM)。

SEM与TEM区别解析

 

本文源自微信公众号:中材新材料

原文标题:《SEM与TEM区别解析》

原文链接:https://mp.weixin.qq.com/s/gVZ_ISM6HJQjr3Gp_5WLEg

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