催化
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VASP基础教程,linux环境变量配置!| 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:在Linux环境下配置VASP计算脚本环境变量的方法! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学本科直接攻读博士学位(…
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电催化必学!如何提取零点振动能zpe、熵ts和吉布斯自由能?| 华算科技
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP View软件计算电催化吉布斯自由能的方法,包括结构优化、振动频率分析等,演示了通过读取OUTCAR文件快速获…
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什么是表面重构?一文读懂热力学起源与催化活性调控
说明:本文华算科技阐述了表面重构的热力学起源与原子-电子协同机制,深入解析了表面能最小化驱动下原子重排与电子结构重构的耦合过程。阅读本文,您将掌握表面超结构形成原理、对称性破缺效应…
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【VASP教程】电催化必学常见计算!零点振动能(zpe)、熵(ts)! | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP计算电催化中零点振动能(ZPE)和熵(TS)的方法,通过固定催化剂原子、调整INCAR参数进行频率计算,提取振…
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【VASP教程】原子固定!优化表面结构步骤详解!DFT计算 晶体表面 表面重构 | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP优化镍(111)表面结构,结合K点设置与INCAR参数调整,为后续吸附计算做准备! 朱老师讲VASP,华算科技…
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【VASP教程】Ni晶体结构优化步骤详解!DFT计算 原子坐标 晶格常数 | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:如何使用VASP优化镍的晶体结构。华算科技朱老师首先介绍了如何通过VASP导出镍的结构,并将其配置到超算上。最后,他展示了…
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【VASP教程】vasp优化Ni表面吸附H结构模型!| 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:VASP优化Ni表面吸附H结构模型,设定氢原子为自由弛豫参数,对比不同吸附位点能量。计算过程需调整输入文件并提交任务! 朱…
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优化电催化效率:局部微环境的界面调控策略与HER/ORR/CRR应用
说明:这篇文章华算科技深入探讨了电催化中局部微环境的调控机制及其对反应性能的影响。通过分析界面疏水性、电场、阳和阴离子的作用,揭示了如何优化局部条件提升电催化反应的效率,并提供了H…
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【建模教程】vaspview构建Ni晶体结构 结构优化 晶格常数 原子坐标 | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:朱老师使用Vaspview构建镍的面心立方晶体结构,导入后显示晶格常数和原子坐标,并简要说明模型构建过程,为后续界面切割、…
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界面调控:定义、策略与应用案例全解
说明:本文华算科技深入探讨了界面调控的多种策略及其在不同领域的应用。通过介绍掺杂、构筑应变、构筑异质结、引入空位等方法,文章展示了如何通过改变界面的结构和性质来优化材料的功能特性。…
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【VASP处理工具】VASP View分析Si的光学性质 介电函数 折射率 吸收系数 | DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP View工具分析Si晶体光学性质,包括介电函数虚实部、折射率、消光系数及吸收系数的计算与可视化! 朱老师讲V…
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吸附能:理论内涵、关键作用与研究方法综述
说明:本文华算科技将阐明吸附能的理论内涵,区分其与相关概念的异同;探讨其如何作为判断吸附类型的关键指标;梳理当前主流的实验测量与理论计算方法。 什么是吸附能? 吸附能是指一个或多个…
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【VASP教程】计算Si的光学性质详细步骤!DFT计算 介电函数 空带 | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP计算Si光学性质的方法,包括自治计算等,适用于折射率等光学参数提取。 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济…
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【VASP处理工具】科研小工具,VASP View分析Si的静电势 | DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:朱老师使用VASP View分析晶体硅的静电势分布,重点解析了平均值数据处理及可视化方法! 朱老师讲VASP,华算科技资深…
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【Materials Studio】DFT计算表面建模:催化剂金属氧化物CeO2 | MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:如何使用Materials Studio进行表面建模,特别是以CeO2催化剂金属氧化物为例。首先展示了如何切取铜的111表面,接…
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【VASP教程】计算Si静电势的详细步骤!DFT计算 电子结构 自洽计算 | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP计算硅晶体静电势分布的步骤,包括准备结构文件、设置INCAR参数、生成LOCPOT输出文件,并强调偶极修正对表…
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晶体材料中的空位:形成机制、特性与性能影响
说明:本文华算科技深入探讨了晶体材料中阴离子空位和阳离子空位的形成机制、特性及其对材料性能的广泛影响。文中详细阐述了空位的电荷状态、能带调制效应、对扩散行为和晶体结构的影响,以及在…
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能带结构分析与作图神器分享!华算科技自研神器VASPView,秒画Si能带结构!| 华算科技
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师使用VASPView软件分析Si晶体能带结构提取OUTCAR文件数据,展示能带图横坐标为K点距离! 朱老师讲…
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什么是共价有机框架?定义、功能及计算化学研究全解析
说明:本文华算科技系统介绍了共价有机框架(COF)的基本定义、主要功能及其相关计算化学研究。在计算化学方面,可用DFT解析电子结构与吸附位点,用GCMC预测等温线与选择性,用MD描…
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电催化中的溢流效应:核心机制、性能强化与调控策略
本文华算科技深入解析电催化中溢流效应的核心机制及其对催化性能的强化作用,阐明溢流通过扩大反应界面、提升传质效率、优化吸附能(如调节∆GH)显著增强析氢反应(HER)活性与稳定性,并…