DFT计算
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COHP和ICOHP是什么?DFT中分析化学键性质的核心工具及应用详解
COHP(Crystal Orbital Hamilton Population)和ICOHP(Integrated Crystal Orbital Hamilton Popula…
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eg与t₂g轨道:电催化中过渡金属d轨道电子构型的调控机制
说明:电催化材料的催化活性高度依赖于过渡金属的d轨道电子构型,特别是eg与t2g轨道的填充情况。在典型的八面体晶体场中,这两类轨道具有不同的能级和反应性。 研究发现,eg轨道电子占…
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d带中心理论:金属催化剂电子结构与性能调控的核心
d带中心作为金属催化剂电子结构的关键指标,直接决定了催化剂的活性、选择性和稳定性。本文华算科技系统阐述了d带中心的定义及其在催化反应中的作用机制,包括电子转移能力、吸附能调节和反应…
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Lewis 酸位点:定义、载体(金属氧化物 / MOF 等)及异相催化应用
总结:本文华算科技系统介绍了路易斯酸位点的定义、常见材料及其在异相催化中的作用机制。路易斯酸位点是能够接受电子对的活性中心,常见于金属氧化物、沸石分子筛及金属有机框架(MOF)等材…
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功函数:催化表面电子过程的调控枢纽与理论计算
功函数(Work Function, Φ)作为表征材料表面电子逸出能力的核心物理量,在催化科学中具有重要地位。它不仅反映了表面静电势垒的高度,还与电子结构、吸附特性、界面电荷转移等…
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从1D到3D:不同维度材料的态密度特征及其在材料科学中的深远影响
说明:态密度(DOS)是凝聚态物理和材料科学中的核心概念,描述单位能量区间内可用电子态的密度,是连接微观电子结构与宏观物性(如导电性、光学吸收、催化性能)的关键桥梁。 不同维度…
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《VASP实用教程》第六十弹:钨-从投影性看SCDM参
本文为华算科技撰写的《VASP实用教程》第60篇,之后还会推出特别篇,整个教程即将完成。 随后朱老师将推出《VASP入门手册》,约200篇,旨在帮助完全没有基础的同学,从最简单的内…
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基于DFT计算的掺杂调控策略:富锂锰基正极材料性能优化与电子结构分析
本文华算科技全面探讨了离子掺杂对正极材料结构稳定性和电化学性能的调控机制,为设计高性能电池材料提供了理论依据。 以富锂锰基正极为例,解析其晶体结构、电子特性及其在锂离子电池中的应用…
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量子数到轨道杂化:原子轨道理论及其在DFT计算与催化剂设计中的关键作用
说明:原子轨道理论是描述电子运动状态的核心量子力学理论,通过量子数(主、角、磁量子数)定义轨道能级、形状和取向,结合轨道杂化、波函数等概念,揭示原子成键本质。 其在电催化中指导…
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VASP过渡态计算全流程指南:NEB方法步骤、参数设置、验证与结果分析详解
在使用VASP(Vienna Ab Initio Simulation Package)进行过渡态计算时,通常采用的是Nudged Elastic Band (NEB) 方法,这是…