态密度

Q1：朱老师，可以取周期性结构的重复单元放在晶胞里做吸附计算吗？ A：这样不再是周期性结构，只能用0维来处理，最好用高斯计算 Q2：朱老师，开始算了一点点然后计算就停了，出现这个报…

VASP非自洽计算原理 非自洽计算（Non-self-consistent Calculation）是在自洽计算的基础上进行的进一步计算，其目的是在已有的自洽波函数和电荷密度的基础…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：朱老师通过VASP计算单层BN的态密度(DOS)，展示非自治计算流程及VASPview工具分析结果，重点解析总态密度与轨道…

说明：本文华算科技综述了态密度（DOS）在电催化领域中的概念与应用，重点关注近年来基于第一性原理密度泛函理论（DFT）的计算研究成果。 文章首先介绍态密度的定义与计算方法，其次讨论…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师演示Pd(001)表面态密度计算过程，包括结构优化后自洽计算与非自洽态密度计算步骤，可用于分析D带中心及吸附…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：Pd表面态密度分析与D带中心计算方法，使用VASP结合自研工具VASPView导入DOS数据，展示总/分态密度分布，重点分…

说明：本文从基础的电子态密度概念出发，逐步深化至考虑电子自旋自由度后的物理图像，详细定义其内涵，并最终探讨其主流的理论计算框架和实现方法。 什么是自旋极化态密度   在凝聚态物理与…

说明：本文华算科技系统阐述了材料科学与催化学领域中的核心概念：d带中心。本文将从其基本定义、计算方法及其在催化活性预测等领域的广泛应用三个层面展开，旨在为读者提供一个全面且深入的理…

说明：本文华算科技详细介绍了TiO₂在计算化学领域中的主要研究方向，包括电子结构分析、表面吸附与反应动力学、以及光催化过程的激发态计算。通过密度泛函理论（DFT）等方法，可以深入理…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP计算功函数步骤详解，调整自治计算参数并启用偶极修正与态密度，通过真空能级与费米能级差计算材料功函数，从输出文件提取…

说明：本文华算科技系统阐述态密度的物理内涵、计算方法、跨学科应用，结合经典模型与前沿案例，为研究者提供从基础到实战的全视角指南。 态密度（Density of States, DO…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：使用VaspView工具分析硅的态密度(DOS/PDOS)，导入DOSCAR数据后生成总态密度，并通过平滑处理展示各轨道电…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：如何使用VASP软件计算晶体的态密度。华算科技朱老师首先介绍了态密度与能带计算的关系，接着详细讲解了如何从已有的波函数和电…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：使用VASP计算硅晶体电荷密度的方法，基于已优化的结构文件进行自治计算，为后续态密度和能带计算提供基础数据，操…

本视频由华算科技-朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：态密度(DOS)分析的关键信息，通过总态密度与原子分态密度曲线展示材料电子结构，横坐标为能量(E-EF)并标注费米能级，分…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：如何分析材料的态密度（DOS）及分波态密度，通过选择特定原子（如碳、锡）观察其对价带顶和导带底的贡献，重点关注P轨道作用。同时演…

在固体物理与计算材料科学的研究体系中，电子与空穴是描述微观载流子行为的核心概念，它们不仅构成了现代半导体理论的根基，同时也是理解电学、光学以及磁学等物性的重要起点。 电子作为真实存…

说明：在固体物理与材料计算中，能带结构（band structure）与态密度（Density of States, DOS）是理解电子行为最重要的两个表征方式。能带揭示了电子能量…

说明：在固体物理与材料科学中，电子能级的分布及其填充方式决定了材料的电学、光学与化学性质。价带顶（VBM, Valence Band Maximum）与导带底（CBM, Condu…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASPView工具处理态密度(TDOS+PDOS)的方法，涵盖输入DOS文件、总态密度平滑处理、分轨道等，并…