能源材料​

说明：本文华算科技主要介绍异质结晶格失配率的定义、失配引起的应变与结构松弛，以及它们对第一性原理界面计算的影响。 晶格失配率，比较的是哪两个周期？ 两种半导体接触形成异质结时，接触…

说明：本文华算科技主要介绍半局域 DFT 低估半导体带隙的物理原因，区分精确 Kohn–Sham 能隙、交换关联势跳变与近似泛函误差。 半导体带隙的两种定义分别是什么？ 常规能带计…

说明：本文华算科技主要介绍异质结形成时界面接触、费米能级对齐和能带弯曲的物理过程，以及HRTEM、XPS、UV-vis、PL和KPFM分别记录的晶格接触、结合能偏移、光吸收、载流子…

引言 二维异质结最容易被低估的地方，不是把两层材料叠起来，而是叠起来以后到底承受了多少应变、形成了多大的莫尔周期、层间距是否落在合理势能谷里。早期做几何匹配时，常把失配率小于某个数…

说明：本文华算科技主要介绍异质结界面电子态的来源，以及接触几何、缺陷和载流子动力学怎样共同影响电荷分离与复合。 异质结界面的电子态是什么？ 异质结由两种电子结构不同的材料形成接触，…

引言 二维异质结常被说成能促进电荷分离，但这个结论不能只靠两层材料叠在一起。真正要判断的是：两侧能带是否形成驱动力，界面是否发生电荷转移，转移后是否建立能帮助电子和空穴分开的电势梯…

说明：本文华算科技主要介绍异质结的基本含义、界面附近的电子态与电流，以及光生载流子的转移、束缚和分离。 质结的基本含义与接触区域 在半导体物理中，异质结通常指两种不同半导体接触形成…

说明：本文华算科技主要介绍价带偏移与导带偏移的定义、共同能量参照、第一性原理计算表达式、光电子能谱提取方法及适用条件。 价带偏移/导带偏移的基本含义是何？ 设界面左侧为半导体 A，…

每次翻书是不是都被复杂的能带图、费米能级和满天飞的公式搞得头皮发麻？我们整理了13个PPT，共568页，只讲半导体物理，一看就懂，求职面试、转行突击、底层逻辑复盘必备，直接吃透图表…

引言 有机-无机钙钛矿表面建模的难点，不在于把 CIF 切成 slab，而在于同一化学式下存在晶相、A 位阳离子取向、PbX₆ 八面体倾斜、表面终止和偶极方向等多个自由度。钙钛矿表…

🔥异质结研究当下有多火爆？从半导体、电池到催化领域，各大顶刊都在集中发文，堪称高产文章的极佳热点方向！ 想要紧跟顶刊风口，却苦于没有学习路径？ 💎《4小时吃透异质结》全套资料包直接…

说明：本文华算科技主要介绍异质结按界面原子连接、空间组合、物相来源和电子结构命名时的类型，以及各类名称对应的计算对象。 异质结的基本对象由什么量划分？ 两个区域在化学组成、晶体相或…

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引言 钙钛矿表面小分子吸附容易被写成普通表面吸附问题：切一个 slab，放上 H2O、O2、CO2 或 NH3，优化后比较吸附能。这个流程本身没有错，但对卤化物钙钛矿和有机-无机杂…

异质结常被分成 Type-I、Type-II 和 Type-III 三类。这个“三类”只描述两种半导体接触后的带边排列。文献中的 p–n 结、肖特基结、Z 型异质结，以及面内、垂直…

理论推导太枯燥？ 这份《半导体物理概要》讲义，把复杂的半导体物理模型全部具象化了！ 无论是不同维度下的态密度变化、量子受限效应的能带对准，还是声子辅助吸收的光电导谱分析，这里都有极…

说明：本文华算科技主要介绍异质结的三套常用分类：按带边排列区分 Type-I、Type-II 和 Type-III，按接触组成区分同型、异型、肖特基与欧姆接触，按界面形态区分垂直、…

晶体结构、能带理论、费米能级、量子霍尔效应……是不是看一次晕一次？别慌！ 今天给大家搞到了一份《半导体物理概要》讲义！ 该PPT借助格伦伯格经典教材，把半导体物理从结构到能带、从载…

引言 TiO2的吸附计算不能只写“建立 TiO2slab”。锐钛矿 101、锐钛矿 001 和金红石 110 暴露的 Ti 配位、桥氧、表面羟基和氧空位行为都不同。吸附能差异有时来…

说明：本文华算科技主要介绍异质结在材料计算中的结构对象、能级参照、界面电荷重排和应用判断。 异质结在计算对象里由哪些部分构成 异质结指两个化学组成、晶体结构、材料形态或电子能级不同…