华算科技

说明：本文华算科技介绍了电荷转移的定义、分类、作用，重点说明了紫外可见吸收光谱、荧光光谱、红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱、瞬态吸收光谱、时间分辨荧光光谱、循环伏安法、交流阻抗…

说明：本文华算科技介绍了配体数与配位数（CN）的定义、区别及判断方法：配体数是配合物中与中心原子结合的配体分子总数，可直接数配体角标；配位数是中心原子结合的配位原子总数，需结合配体…

本视频由华算科技–MS杨站长团队制作，本期内容包括：第二届分子漂流杯 | MS分子动力学制作的游戏—低级趣味，但上档次！| MS杨站长 华算科技 MS杨站长…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：DFT-D报错?稀土元素没参数?Grimme一个表格解决! I DFT计算 CASTEP DMol3 MS杨站长，曾就职于德国马…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料silicene电荷计算，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济大…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料silicene三维电荷图，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：稳定结构中的小虚频应该怎样消除？华算科技-MS杨站长 | Materials Studio MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克…

说明：本文华算科技介绍了掺杂是材料与催化核心改性技术，可调控电子结构、优化晶体结构、提升材料稳定性；并详解ICP‑OES、XRF、元素分析、XRD、TEM、XPS、DRS、Rama…

说明：本文华算科技先介绍奈奎斯特图的定义、坐标规则，以及Randles等效电路对应的单半圆阻抗特征；再重点解析电化学阻抗谱出现多个半圆的核心原因，涵盖多层界面、多孔电极、多步反应、…

说明：本文华算科技介绍了d带中心的定义、计算方法及其物理意义，并通过结合Hammer-Nørskov模型和Sabatier原理，解释了d带中心位置如何调控吸附强度与反应活性。   …

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：Materials Studio-硬核—过渡态假虚频的消除办法！ MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克研究所，日本WPI研究所，…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料silicene二维电荷图，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济…

说明：本文华算科技介绍了表面控制与扩散控制两种反应机制的本质区别，从速率决定步骤、温度敏感性、流体动力学依赖性等维度进行对比分析，并详细介绍了循环伏安法和电化学阻抗谱两种实验区分方…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料silicene态密度计算，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料silicene态密度分析，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济…

Q1：朱老师，这是我计算的MXene的介电函数，发现其虚部曲线在靠近0 eV处出现了负值，请问这是不是不正常呀？ A：①没有不正常，ε1本来就可以为负值，尤其是金属或者半金属； ②…

说明：本文华算科技介绍了能垒降低与升高的定义及对反应、扩散等过程速率的影响，阐述能垒变化的本质是体系内部化学键、分子间作用力等相互作用的改变，说明如何通过能垒判断优势反应路径、反应…

说明：本文华算科技介绍了电化学表征的定义与核心价值，阐述了其在材料性能评估、反应机理揭示及结构优化中的重要作用，并详解了LSV、CV、CA、CP、Tafel、EIS、SWV、RRD…

说明：本文华算科技介绍了催化体系中局部微环境的定义，阐述其空间受限性、动态演化性两大核心特征，区分其与体相环境的差异，详解其由化学组分、物理结构、电荷分布构成的核心要素，以及其在调…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：Materials Studio-怎样解决MS按键盘时崩溃的问题？ MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克研究所，日本WPI研究所…