华算科技
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VASP教程 | 二维材料silicene吸附H电荷分析 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料silicene吸附H电荷分析,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,…
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界面调控策略有哪些?
说明:本文华算科技系统阐述界面调控的核心原理与四大策略:通过界面电场调控、界面pH调控、底物富集策略及电极–溶剂–底物协同策略,结合CO2还原等案例详解如何…
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如何计算零电荷电位?| 华算科技 碱性HER MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:如何计算零电荷电位?| 华算科技 碱性HER MS杨站长 MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克研究所,日本WPI研究所,并曾在芬…
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加电势的AIMD在CO2RR催化中的应用
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:加电势的AIMD在CO2RR催化中的应用 MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克研究所,日本WPI研究所,并曾在芬兰阿尔托大学进行…
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VASP教程 | 二维材料silicene吸附H态密度计算 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料silicene吸附H态密度计算,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术…
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d带中心:电催化剂设计与性能调控的核心原理与实践
说明:这篇文章华算科技详细介绍了d带理论及其在电催化反应中的应用,涵盖d带中心的基础知识、调控策略(如掺杂、应变工程、合金化等)以及在氢循环和碳循环中的应用实例。阅读本文,读者可以…
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什么是杂化轨道?d-p/d-d/d-f/d-p-f 杂化类型与电催化性能机制全剖析
说明:本文华算科技系统介绍了杂化轨道基础理论,包括价键理论、杂化轨道理论、分子轨道理论和前沿轨道理论,并详细探讨了d-p、d-d、d-f及d-p-f等轨道杂化类型及其对催化性能的影…
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什么是晶体场理论?d 轨道能级分裂与配合物性质成因深度剖析
说明:本文华算科技全面介绍了晶体场理论,包括其基本要点、d轨道能级分裂、分裂能及其影响因素、d电子排布、晶体场稳定化能和应用。通过详细解析中心原子d轨道在配体场中的变化,阐述了配合…
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如何计算不同晶界对催化活性的影响?协同活性位点促进高效催化!| 华算科技 晶界工程 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:如何计算不同晶界对催化活性的影响?协同活性位点促进高效催化!| 华算科技 晶界工程 MS杨站长 MS杨站长,曾就职于德国马克思普…
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d轨道电子动态行为与CO2RR活性的深层关联!| 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:d轨道电子动态行为与CO2RR活性的深层关联!| 华算科技 MS杨站长 MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克研究所,日本WPI研…
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VASP教程 | 二维材料silicene吸附H态密度分析 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料silicene吸附H态密度分析,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术…
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晶相合成策略详解:如何实现特定晶体结构的精准制备与调控?
说明:这篇文章华算科技详细介绍了晶相合成策略的核心内涵、关键路径、调控策略以及面临的挑战与应对方法。文章为读者展示了如何精确制备具有特定晶体结构的材料。阅读本文,读者可以深入了解材…
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吸附能与自由能:热力学过程解析与催化反应设计核心要点
说明:这篇文章华算科技介绍了吸附能与自由能的概念、区别及联系,并通过实例展示了它们在化学反应和催化领域的应用。阅读本文,读者可以深入了解吸附能和自由能的物理意义、计算方法及其在判断…
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85种构型,动态筛选最优活性!HOMO LUMO 描述符!| 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:85种构型,动态筛选最优活性!HOMO LUMO 描述符!| 华算科技 MS杨站长 MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克研究所,…
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说清了!磁场对OER反应有哪些影响?| 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:说清了!磁场对OER反应有哪些影响?| 华算科技 MS杨站长 MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克研究所,日本WPI研究所,并曾…
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什么是电荷转移?机理、研究方法与前沿领域应用
说明:本文华算科技以电荷转移(Charge Transfer, CT)为核心论题,系统阐述其量子力学本质、核动力学耦合、界面与超快动力学机制,并综合评述飞秒瞬态光谱、DFT计算及同…
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吸附等温线分析:BET 测试原理、六类 N₂型实例与孔参数计算
说明:本文华算科技系统梳理BET测试原理、操作流程与数据解读方法,结合六种典型N2吸脱附等温线类型实例,帮助读者快速判断等温线类型并正确计算比表面积、孔容与孔径分布,规避常见数据解…
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VASP教程 | 二维材料N掺杂silicene模型构建 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料N掺杂silicene模型构建,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,…
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晶体取向:电导率、介电常数、表面能、吸附能的核心调控因素
说明:本文华算科技介绍了晶体取向对材料性质的影响,包括电导率、介电常数、表面能、表面电子结构、原子/分子吸附能力和离子电导率。 PART.01 什么是晶体取向 晶体取向描述单晶…
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高熵材料四大核心效应详解:高熵、晶格畸变、迟缓扩散与鸡尾酒效应
说明:这篇文章华算科技详细介绍了高熵材料及其四大效应:高熵效应、晶格畸变效应、迟缓扩散效应和鸡尾酒效应,阐述了这些效应如何赋予高熵材料优异的力学、热学和化学性能。阅读本文,读者可以…