半导体

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：通过VASP计算单层BN的电荷密度，利用优化结构文件固定构型，读取波函数与电荷密度进行固定结构计算，生成CHGCAR文件。…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：朱老师通过VASP计算单层BN的态密度(DOS)，展示非自治计算流程及VASPview工具分析结果，重点解析总态密度与轨道…

本文华算科技旨在系统性阐述“晶格失配”这一材料科学与半导体技术中的核心概念。文章将从晶格常数的基础定义出发，深入探讨晶格失配产生的物理机制、其定量计算方法，并重点介绍工业界与学术界…

说明：本文华算科技介绍了功函数的基本概念、计算方法及其在电子器件中的应用，重点阐述了功函数作为表征电子逸出能力的关键参数，如何影响金属–半导体接触特性。 并结合第一性原…

本文华算科技旨在系统性地阐述“掺杂”这一关键技术。文章将首先定义掺杂及其核心机制，随后探讨其在电子、能源和生物医学等前沿领域的广泛应用，最后深入分析掺杂为何是现代科技不可或缺的基石…

说明：本文华算科技探讨了内建电场在不同材料体系中的形成机理及其对电荷行为和能量转换过程的影响，揭示了内建电场在电子、光电子、催化和能量转换等领域的关键作用。 什么是内建电场 内建电…

说明：文章华算科技系统阐述了PN、Z型和S型三类异质结的能带结构、电荷转移机制及其在光电催化中的调控原理。阅读将掌握不同类型异质结的内建电场形成机制与界面工程设计策略，学会根据能带…

说明：本文华算科技从理论计算的角度，系统介绍掺杂（Doping）的基本概念、核心意义及其在材料科学中的研究进展。内容涵盖掺杂的定义、机制、计算方法（如密度泛函理论、分子动力学和机器…

说明：本文华算科技系统介绍了电荷密度的基本概念、分类及其在材料科学中的核心地位，重点阐述了从宏观分布到微观量子描述的物理内涵。 并结合密度泛函理论（DFT）和差分电荷密度等计算方法…

说明：本文华算科技将从定义、计算公式、物理意义以及计算方法等角度，对掺杂形成能进行系统性、深度的阐述。   什么是掺杂形成能？   掺杂形成能，通常也被称为缺陷形成能或杂质形成能，…