半导体
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TEM电子衍射在异质结构应变缺陷表征中的应用
总结:本文详细介绍了电子衍射技术在半导体异质结构应变缺陷表征中的核心应用,系统阐述了四种关键电子衍射技术——选区电子衍射SAED、会聚束电子衍射CBED、纳米束电子衍射NBD、旋进…
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半导体异质结构缺陷电镜观察:从位错表征到衍生技术,表征材料应变诱导缺陷
总结:本文围绕半导体异质结构中位错等应变诱导缺陷的电镜观察展开,详细介绍了半导体异质结构中应变诱导缺陷的产生机制,系统阐述了透射电子显微镜TEM的多种成像技术——双束条件TBC成像…
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透射电镜(TEM)赋能半导体:器件表征、成分分析及故障定位
总结:本文介绍了透射电子显微镜(TEM)在半导体行业的核心应用价值、关键成像技术,以及元素分析技术(EDS、EELS、EFTEM),还阐述了电子断层摄影术、电子全息术等先进技术在半…
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【DFT计算】一个视频让你秒懂态密度关键信息!新手小白码住!| 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技-朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:态密度(DOS)分析的关键信息,通过总态密度与原子分态密度曲线展示材料电子结构,横坐标为能量(E-EF)并标注费米能级,分…
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电子 VS 空穴:半导体理论的基石与物性研究的起点
在固体物理与计算材料科学的研究体系中,电子与空穴是描述微观载流子行为的核心概念,它们不仅构成了现代半导体理论的根基,同时也是理解电学、光学以及磁学等物性的重要起点。 电子作为真实存…
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TEM 在半导体领域的应用:工艺开发与失效分析案例详解
总结:在本文中,读者可系统学习到利用TEM/HRTEM测量半导体器件关键尺寸(如栅极氧化物厚度、界面层厚度)、分析材料微观结构(如晶粒形态、相组成)的实操思路,掌握半导体失效模式(…
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半导体工业TEM样品制备技术:方法演变、FIB应用与损伤控制
总结:在本文中,读者可系统学习到半导体TEM样品(横截面 / 平面)的针对性制备步骤、FIB技术在特定区域样品制备中的要点,掌握FIB损伤层控制与样品转移的关键技巧,了解不同制备方…
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原子掺杂:基于DFT的第一性原理计算与策略
说明:原子掺杂是重要的材料调控策略,通过引入杂质原子改变材料电子结构、能带和载流子浓度,从而提升其催化、电学和光学性能。 近年第一性原理计算发展迅速,DFT成为揭示掺杂机理和缺陷态…
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什么是费米能级?从理论描述到工程应用的全面解读
说明:费米能级(Fermi Level)是固体物理与半导体物理中核心而基础的概念,其不仅体现在理论描述上,更深入影响材料性能与器件应用。作为电子的化学势或热力学功,费米能级在决定电…
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什么是半导体?从杂质控制(掺杂与缺陷)解析其电学特性与应用
半导体材料是现代电子技术的核心基石,其独特性能的实现离不开对“杂质”的精妙控制。本文深入探讨了半导体中两类关键的“杂质”:一类是经过精确控制引入的掺杂剂,它们是赋予半导体可控电…