说明:本文华算科技主要介绍吸附能中的相互作用与形变能、轨道占据和接触结构对吸附的影响,以及覆盖度和水合环境改变吸附强度的原因。



一个完整分子 A 从远离表面的状态吸附到基底 S 上,静态 DFT 通常用吸附能衡量能量变化:Eads = E(S+A) − E(S) − E(A)。这里的清洁基底和孤立分子分别采用弛豫后的参考构型。按这个符号约定,负值表示吸附态的电子总能低于分离态;与不同气体分子、不同电荷态作差,描述的反应就已经改变。
沿表面法向改变分子距离,可以得到随距离变化的势能。长距离处吸引较弱,接近表面后能量降低,过近时电子云重叠引起的短程排斥使能量上升,吸引和排斥共同确定平衡距离。碳孔中的 CH4 可用 Lennard–Jones 势作概念描述:两侧孔壁的吸引叠加会改变势阱深度。此类模型势与经过结构弛豫的 DFT 能量曲线采用不同近似。

吸附后的分子可能弯曲,基底原子也可能偏离清洁表面的位置。保持吸附构型不动,分别移除分子或基底,再计算两个冻结片段的能量,就能定义该构型下的相互作用能 Eint。冻结片段相对于各自弛豫参考结构的能量增量记作形变能;在一致的片段电荷、自旋和晶胞约定下,Eads = Eint + Edef,S + Edef,A。
相对于片段自身的低能参考构型,弯曲、键长伸缩和表面重排通常需要消耗能量。相互作用释放的能量要补偿这些形变代价,吸附才会使总能降低。H2S 在吡啶氮和氧化氮位点上的计算案例,同时给出了吸附能、冻结构型相互作用能及两个片段的形变能,可以分别比较这三项。

该 PBE 模型中,H2S/吡啶氮的相互作用能为 −0.129 eV,分子与基底形变合计 +0.012 eV,得到 −0.117 eV 的吸附能。氧化氮模型的对应数值为 −0.114、+0.017 和 −0.097 eV。两种位点的差异来自吸引收益与形变消耗的共同变化;仅约 0.02 eV 的差值对泛函与分散修正敏感,数值次序限定于原计算模型。



分子轨道与表面轨道相互作用后,会形成能量不同的组合态。轨道能量接近、空间重叠充分且对称性匹配时,杂化通常增强;电子占据低能成键态能降低能量,占据反键态则削弱相应化学键。已占据轨道之间的正交化又会产生排斥,因此缩短分子–表面距离时,吸引和排斥会共同变化。
CO 在酞菁钴位点上的成键包含两种相互作用:CO 的 5σ 轨道向 Co 的 dz2 轨道给电子,Co 的 dxz/dyz 轨道向 CO 的 2π* 轨道反馈电子。配位构型和自旋态改变特定 d 轨道的占据,σ 给电子与 π 反馈作用便可能呈现不同变化方向。平均 d 态能量没有逐一保留这些轨道的方向和占据。

在低自旋与高自旋 Co2+ 的对比模型中,高自旋构型的 σ 相互作用减弱,而 π 反馈增强。CO 的 2π* 是 C–O 内键的反键轨道,其占据增加可以削弱 C–O 键;CO–Co 相互作用还包含 σ 成键和排斥贡献。分子内部键的活化与分子吸附到表面的能量变化,描述的是不同化学键。配图中的整条自由能曲线还包括后续氢化和甲醇脱附。
差分电荷密度反映电子密度在空间中的重排,净电荷转移量则把某个原子或片段区域内的变化积分成一个数。给电子和反馈电子可以部分抵消,净值很小的体系仍可能存在轨道杂化。PDOS 峰在相同能量处出现重叠,只标识两类投影态分布在相近能量;成键与反键占据需要轨道分辨分析或 COHP 等结果支持。
CH4 一类非极性分子在碳表面吸附时,电子密度涨落相关的分散作用可以贡献明显的吸引能,形成较大净电荷转移并非必要条件。带电位点与离子之间有静电作用,极性分子在局部电场中还会取向并发生极化。静电、分散、杂化和排斥的能量划分依赖分解方案,改变泛函或分散修正也会改变总吸附能。



一个分子与表面形成几个接触点、这些接触点相隔多远,会改变轨道重叠和短程排斥的空间分布。多齿吸附可以增加分子–基底接触,却可能要求分子扭转或表面原子移动。配位不饱和原子常具有较强的局部反应能力,周围空间过窄或多点接触不匹配时,形成某一吸附构型仍会消耗较大的形变能。
碳孔中 CH4 的 DFT 模型采用不同孔宽与分子填充构型,稀疏填充时较窄孔的单分子吸附较强;预先填入分子后,中等孔宽模型对新增分子的吸附更有利。图内“低压”和“高压”分别采用稀疏与预填充构型,压力含义来自这些结构假设,静态总能本身没有给出吸附等温线。

覆盖度增加后,新加入分子既接触基底,也接触已有吸附物。氢键或色散吸引可降低能量,偶极排斥和空间拥挤可提高能量。新增第 n 个分子的吸附能采用 E(S+nA) − E(S+(n−1)A) − E(A);总吸附能除以 n 得到的平均值还包含此前各次吸附的贡献,未必反映继续填充一个分子的代价。
柔性骨架的响应可能涉及整个晶胞。ZIF-7 中,CO2 与相邻孔共用的苯并咪唑配体接触,配体旋转伴随孔形变化。吸附物–骨架相互作用增加的能量收益可以补偿框架从一种构型转为另一种构型的代价;单个刚性孔内的吸附能无法描述这部分框架响应。

该体系的结构图依据中子衍射给出两类孔及客体接触,DFT 则计算不同框架和客体分布的能量。判断相同客体数量下哪种框架构型的总能更低时,吸附能要采用同一空框架参考态;分别减去各自空框架能量得到的是各构型内部的结合收益,比较时需另加空框架之间的能量差。实验等温线上的吸附台阶还受气体化学势和结构转换影响。



水溶液中的离子接近表面时,起始状态已经包含水合壳。形成离子–表面接触可能需要脱去部分水合水、置换原先吸附的水,并重排附近的氢键。真空中裸离子与干燥表面的相互作用即使很强,溶液里的净吸附自由能仍要包含离子失去水合配位以及界面水重新排列的代价。
云母–水界面的一个 298 K 经典分子动力学模型,用离子和水的平衡分布构造随法向高度 z 变化的自由能。曲线包含水合与界面构型的统计贡献,与某一冻结构型的 DFT 电子能不同。Na+ 的近表面自由能分布较宽,Mg2+ 和 Sr2+ 各有两个吸附极小值,离子电荷数相同也可形成不同的能量分布。

离子从水相到表面的自由能差与水合壳能保留多少、表面氧能否补足配位有关。不同高度的极小值可以对应不同离子–表面接触和水合结构。该云母模型采用 CLAYFF 与 SPC/E 水模型,自由能曲线及离子排序遵循这些力场和取样条件;静态 DFT 若省略周围水分子,会改变吸附前后的物理状态。
浓溶液中,一个吸附离子的影响还会延伸到附近水分子。MgCl2 体相浓度为 3.80 M 的模型里,Mg2+ 周围的水合配位结构占据相邻表面区域,限制其他阳离子接近。局部自由能极小值较深,与单位面积能容纳多少离子,由不同的能量和几何条件控制。

该平面图统计吸附区域中水、阳离子和阴离子的空间密度,圆线标记水合壳。水和离子的联合分布描述了水合壳在表面附近保留的结构;电子积累、耗尽或原子价态则不由这类粒子密度图给出。溶液浓度变化还会改变共离子关联和位点占用,3.80 M 下的排列不能直接外推到稀溶液。
溶液吸附的 DFT 能量比较需要把初始溶剂化状态与吸附后的界面组成纳入同一反应参照,并由构型取样和熵项得到自由能。在电极上,电位还会改变表面电荷、界面电场及吸附诱导的电子交换。带偶极或发生部分电荷转移的吸附态,其自由能随电位变化;干燥、中性表面的一组吸附能只描述该表面模型。
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