活性位点:定义、公式与表征方法全解析

说明:本文华算科技将系统介绍活性位点的定义、估算公式、重要性、表征分析方法,包括XPS、XRD、HRTEM、BET、UV-vis、NMR、原位拉曼光谱差分电化学质谱DEMS)、电化学活性测试,帮助读者全面理解这一关键概念。
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活性位点是什么?

活性位点(Active Sites)是催化剂表面或内部具有特定电子结构、几何构型与化学环境的微小区域,能够吸附反应底物、降低反应活化能,并促使底物发生化学键断裂与重组,最终生成目标产物。
从尺度上看,活性位点可分为原子级位点、亚纳米级位点与纳米级位点
从类型上,活性位点又可分为金属活性位点、非金属活性位点及协同活性位点
活性位点:定义、公式与表征方法全解析
SNWs的Cdl与ECSA值最高,表明其活性位点最多。DOI: 10.1002/aenm.202403354
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活性位点如何量化?

要研究活性位点,首先需通过量化其数量、评估其本征活性,将 “抽象的位点” 转化为 “可量化的参数”。

活性位点数量:ECSA

电化学活性表面积(ECSA)是衡量活性位点数量的核心指标,其本质是催化剂表面可参与电化学反应的 “有效面积”,与活性位点数量呈正相关。
ECSA 通过双电层电容(Cdl) 计算,公式为:
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Cdl:双电层电容(单位:mF cm⁻²),通过循环伏安法(CV)在非法拉第区域测试,取不同扫速下氧化电流与还原电流的差值的 1/2,对扫速作图,斜率即为Cdl
Cs:单位真实表面积的比电容(单位:mF cm⁻²),对于金属基催化剂,通常取裸碳基底的比电容(≈0.04 mF cm⁻²)或文献报道的标准值。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

活性位点本征活性评估:TOF

转换频率(Turnover Frequency, TOF)是衡量单个活性位点本征活性的指标,代表单位时间内单个活性位点催化生成产物的分子数,公式为:
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r:产物生成速率(单位:mol s⁻¹ cm⁻²);
NA:阿伏伽德罗常数(6.02×10²³ mol⁻¹);
n:活性位点总数(单位:mol cm⁻²),由 ECSA 与单位面积活性位点数换算;
F:法拉第常数(96485 C mol⁻¹)。
TOF 值越高,说明单个活性位点的催化效率越强。
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Cu₉S₅ SNWs、Cu₉S₅ NWs 和 Cu₉S₅ NCs 的 NH₃ 产率。DOI: 10.1002/aenm.202403354

选择性:产物法拉第效率(FE)

FE 是衡量活性位点选择性的核心指标,代表电子用于生成目标产物(如 NH₃)的比例,公式为:
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nNH₃NH₃的物质的量(单位:mol),通过紫外 – 可见光谱(UV-vis)或核磁共振(NMR)定量;
Q:总电解电荷量(单位:C),由电流 – 时间曲线积分得到;
系数 “3”:NO₃⁻还原为 NH₃需转移 8 个电子,但实际计算中需根据产物中 N 的化合价变化调整。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354
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活性位点为何如此重要?

催化反应的核心挑战是活性低、选择性差、稳定性弱,本质上均与活性位点的特性直接相关。

活性决定反应效率

活性位点的数量越多、本征活性越高,单位时间内参与反应的底物分子越多,反应电流密度与产物产率越高。
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DOI:10.1002/adma.202503742

选择性决定产物价值

活性位点的化学环境(如电子密度、配位环境)决定了底物的吸附强度与反应路径。
活性位点:定义、公式与表征方法全解析
DOI:10.1002/anie.202303794

稳定性决定工业化潜力

活性位点的结构稳定性直接影响催化剂的使用寿命。若活性位点在反应中发生迁移、团聚或氧化,则催化性能会快速衰减。
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SNDPPd@HEAA和As-SNDP-Pd@HEAA的稳定性测试。DOI: 10.1039/d4ee03150d
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如何表征分析活性位点?

活性位点的数量、电子结构与协同作用是决定催化性能的核心,需通过精准的测试表征与理论计算实现定量分析与机制阐释。

高分辨透射电子显微镜(HRTEM)

高分辨透射电子显微镜(HRTEM)是利用电子束穿透样品,通过记录电子的散射信号,实现纳米至原子级尺度下材料形貌、尺寸分布与晶体结构观测的表征技术,可搭配快速傅里叶变换(FFT)分析晶体有序性。
HRTEM 是验证 “亚纳米结构提升活性位点暴露率” 的核心手段。结合元素线扫描结果,观测到 Cu、S、W、P、O 五种元素在 SNWs 中均匀分布,直接证实磷钨酸(PTA)与 Cu₉S₅的共组装,为 “Cu-PTA 协同活性位点” 的存在提供结构证据。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

X 射线衍射(XRD)

X 射线衍射(XRD)是基于晶体对 X 射线的布拉格散射原理,通过分析衍射峰的位置、强度与半峰宽,确定材料物相组成、晶体结构与晶粒尺寸的表征技术,常用谢乐公式(Scherrer Equation)计算晶粒尺寸。
XRD 用于明确活性位点的晶体结构背景与物相纯度。根据谢乐公式 ,计算得 SNWs 的晶粒尺寸远小于 NWs 与 NCs;且 SNWs 的(001)晶面半峰宽显著更大,表明亚纳米结构导致晶格畸变,而晶格畸变是活性位点增多的重要结构特征。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

X 射线光电子能谱(XPS)

X 射线光电子能谱(XPS)是利用 X 射线激发样品表面原子的光电子,通过分析光电子的结合能与峰形,确定材料表面元素组成、化学价态与电子结构的表征技术,是研究活性位点电子环境的核心手段。
XPS 用于解析活性位点(如 Cu⁺)的电子状态与协同作用。SNWs 的 Cu 2p 谱图中,932.1 eV(Cu 2p₃/₂)与 951.9 eV(Cu 2p₁/₂)的特征峰对应 Cu⁺,表明 Cu⁺是主要金属活性位点。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

BET 比表面积测试

BET 比表面积测试是基于 Brunauer-Emmett-Teller(BET)多层吸附理论,通过测量氮气在样品表面的吸附 – 脱附等温线,计算材料比表面积、孔容与孔径分布的表征技术,比表面积直接反映活性位点的可接触数量。
BET 测试定量验证 “亚纳米尺寸提升活性位点数量” 的核心假设。Cu₉S₅ SNWs 的比表面积达 106 m² g⁻¹,远高于 NWs与 NCs,根据 “活性位点数量与比表面积正相关” 的规律,证实 SNWs 的活性位点数量最多。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

UV-vis与NMR

紫外 – 可见光谱(UV-vis):基于物质对紫外 – 可见光的吸收定律(朗伯 – 比尔定律),通过分析吸光度与浓度的关系,实现产物或中间体定量的光谱技术。
质子核磁共振(NMR):基于原子核自旋在磁场中的共振现象,通过分析化学位移与峰形,实现产物定性与定量的谱学技术,可结合同位素示踪验证产物来源。
两种技术协同验证活性位点的产物选择性与催化效率。采用同位素示踪,测试得 ¹⁴NH₄⁺对应三重峰、¹⁵NH₄⁺对应双重峰,直接证实 NH₃源于 NO₃⁻RR;同时通过 NMR 计算的 FE 与 UV-vis 结果高度一致,验证了定量结果的准确性。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

原位拉曼光谱

原位拉曼光谱(In-situ Raman)是在电催化反应过程中,实时记录催化剂表面分子的振动散射信号,通过分析特征峰的出现、消失与强度变化,动态监测反应中间体的生成与转化,是解析活性位点作用机制的核心原位技术。
原位拉曼直接观测活性位点上的反应路径,揭示催化机制。NWs 与 NCs 的中间体特征峰强度更弱,且 NH₃* 峰出现电位更负,证实 SNWs 的活性位点对中间体的吸附与转化能力更强,反应动力学更快。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

差分电化学质谱

差分电化学质谱(DEMS)是将电催化反应产生的气体或挥发性产物实时导入质谱,通过分析质荷比(m/z)信号强度,实现产物与中间体的动态检测与定量的原位技术,可直接关联电流与产物生成速率。
DEMS 从产物动态生成角度验证活性位点的催化效率。SNWs 的 NH₃信号强度是 NWs的 3 倍、NCs的 16 倍,且 NH₃信号强度远高于中间体信号,证实 SNWs 的活性位点能快速将中间体转化为 NH₃,催化效率更高。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

电化学活性测试

线性扫描伏安法(LSV)是在电极上施加线性变化的电势,同时记录电流随电势的变化曲线(LSV 曲线),用于评估电催化剂的催化活性、反应起始电位与电流密度的电化学测试技术,是活性位点宏观催化性能的直接体现。
LSV 用于初步筛选活性位点的催化活性与 HER 抑制能力。在含 0.1 M NO₃⁻的 1 M KOH 电解质中,SNWs 的 LSV 曲线电流密度全电压范围高于 NWs 与 NCs,且起始还原电位更正,表明其活性位点的 NO₃⁻RR 催化活性更强。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354
电化学阻抗谱(EIS)是在电极系统上施加小幅正弦交流电信号,通过分析阻抗随频率的变化(Nyquist 图),获得电荷转移电阻(Rct)、双电层电容等参数,评估电极反应动力学与电荷转移能力的电化学技术。
EIS 用于评估活性位点的电荷转移效率,是活性位点本征活性的重要补充。Nyquist 图的半圆半径与电荷转移电阻(Rct)正相关,SNWs 的半圆半径最小,表明其 Rct 最小,电荷转移能力最强。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354
电化学活性表面积(ECSA)是衡量催化剂表面可参与电化学反应的有效面积,间接反映活性位点数量的电化学参数,通常通过循环伏安法(CV)测试非法拉第区域的双电层电容(Cdl)计算,ECSA 与 Cdl 呈正比。
ECSA 定量计算活性位点数量,是关联 “结构特征” 与 “催化活性” 的关键桥梁。根据计算公式,得出 SNWs 的ECSA远高于 NWs与 NCs。
ECSA 的差异直接量化了三种样品的活性位点数量差异,为 “SNWs 活性最高” 提供定量解释,且与 BET 比表面积结果一致,形成 “结构 – 活性” 的闭环验证。
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DOI: 10.1002/aenm.202403354

密度泛函理论(DFT)计算

密度泛函理论(DFT)是基于量子力学的理论计算方法,通过求解 Kohn-Sham 方程,计算材料的电子结构、 Gibbs自由能、吸附能等参数,从原子层面揭示催化反应机制,预测活性位点的本征活性与反应路径。
活性位点:定义、公式与表征方法全解析
DOI: 10.1002/aenm.202403354
计算投影态密度(PDOS),发现 SNWs 的 Cu d 带中心更接近费米能级,相比 NWs与 NCs,d 带中心上移增强了对 NO₃⁻、NO₂* 等中间体的吸附强度,优化了活性位点的本征活性。
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