为什么掺杂能提升性能?多维效应解析(空位/相变/电子结构与催化活性关联)

说明:本文华算科技介绍了掺杂对物理性质(空位、相变、润湿性)、电子特性及反应路径的影响。读者可系统学习到掺杂如何优化催化活性,为开发高效电催化剂提供关键知识支撑。

什么是掺杂

通常,掺杂调控是指将掺杂剂嵌入主体材料结构中,形成具有均匀、稳定活性位点的复合催化剂的过程

根据异质原子类型,过渡金属化合物的掺杂调控主要分为阳离子掺杂阴离子掺杂两类。同时,当异价杂质离子掺入晶格时,阳离子或阴离子掺杂剂附近会形成空位

借助掺杂的高效调控作用,异质原子掺杂过渡金属化合物可作为优良催化剂,用于电催化中的阳极氧化反应或阴极还原反应。

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1. 异原子掺杂过渡金属化合物的两种策略示意图:原位掺杂与后掺杂方法DOI:10.1039/D1CS00330E

掺杂对物理性质的影响

(1)空位浓度

在电催化中,掺杂诱导的空位对催化性能至关重要。二维过渡金属化合物表面原子暴露度高,本身存在较多本征空位,为杂原子引入提供了便利;当异价掺杂原子嵌入晶格时,为维持电荷中性,掺杂原子附近易形成新的空位

空位浓度受掺杂原子的化学计量比、离子半径和价态影响显著。借助空位与掺杂原子的协同作用,可改变催化剂表面结构并调制电催化反应路径。

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2. 理论计算:Cu掺杂CeO₂(110)最稳定结构及其对CO₂活化的影响。(a–c)含单Cu位点的CeO₂(110)结构模型:(a1个氧空位(Vo)b2Voc3Vo。(d,e)上述Vo锚定的单原子Cu位点用于CO₂吸附与活化的结构模型,并给出各步能量变化。纯CeO₂(110)1Vo的形成能为1.74eV,表明含3Vo的结构(c)是CeO₂表面单原子Cu位点的最稳定构型。DOI: 10.1021/acscatal.8b01014

阴离子空位:掺杂诱导的阴离子空位在过渡金属化合物中广泛存在,且对邻近金属位点的化学状态影响显著。其中,氧空位(VO)因形成能低,是研究最广泛的阴离子空位。

阳离子空位:相较于阴离子空位,掺杂诱导的阳离子空位报道较少,原因是阳离子空位的形成过程复杂且耗能高,仅在特定结构体系(阳离子空位形成能较低)中存在。

(2)相变

控制催化剂的物相组成对电催化应用具有重要意义不同物相的催化剂具有不同的键合状态,直接影响催化活性。过渡金属化合物的多晶型结构与过渡金属的d轨道电子密度密切相关,因此引入杂原子过渡金属可实现过渡金属化合物物相结构的调控。

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3.a,b)单层1H-MoS₂a)与DT-ReS₂b)的STEM-ADF像。结构模型叠加于ADF图像:Mo原子(绿色)、Re原子(红色);宽通道中的S原子(黄色),Re原子链上的S原子(深黄色)。下侧为对应侧视图。比例尺:0.5nm。(c)不同Re浓度下1HDTRexMo1-xS₂合金的计算混合能。(dDT结构金属原子排布示意:蓝色菱形金属链被橙色稍宽通道分隔。DOI: 10.1002/adma.201803477

(3)表面润湿性

催化剂的表面润湿性对电化学反应(尤其是水性电解质中的反应)至关重要,直接影响催化剂与反应物的相互作用,进而决定催化性能。为实现高效催化,催化剂需具备合适的表面润湿性以保证与反应物的良好接触。根据对水的润湿性,催化剂表面可分为疏水性和亲水性

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4. 掺杂诱导过渡金属化合物催化剂物理性质变化的示意图:(f)表面润湿性。DOI:10.1039/D1CS00330E

亲水性调控:多数情况下,亲水表面有利于催化剂与电解质接触,促进电催化反应。

疏水性调控:对于水分解等反应,催化剂与水的强黏附可能阻碍气泡释放,影响催化性能,此时需适度疏水的表面以避免气泡干扰。

电子特性调控

杂原子与过渡金属化合物基体的能级杂化,可有效调制材料的电子结构,进而优化催化剂与关键中间体的电子相互作用,提升催化活性。

(1)电导率

电导率是电催化剂电化学应用的核心指标高电导率可确保体系内高效电子转移,促进电催化反应。与金属基催化剂相比,多数过渡金属化合物因本征带隙存在,电导率较低。通过杂原子掺杂,利用掺杂原子与基体的能级杂化,可有效调控过渡金属化合物的电导率。

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5. 掺杂诱导TMCs催化剂电子特征变化的示意图:电导率。DOI:10.1039/D1CS00330E

(2)电子能带结构

杂原子掺杂可便捷、稳定地调节催化剂的费米能级,这对电催化反应至关重要。半导体过渡金属化合物的价带与导带间存在较小能隙,需进一步优化电子态以实现高效电催化。通过晶格中主体原子被杂质原子取代,可向半导体材料引入额外电子或空穴,改变电子能带结构,进而优化中间体吸附。

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6. 掺杂诱导TMCs催化剂电子特征变化的示意图:电子能带结构。DOI:10.1039/D1CS00330E

(3)局部电荷分布

电催化中,活性位点的电荷分布决定其与目标物种的相互作用,进而影响催化活性。杂原子与过渡金属化合物基体的电子相互作用,会改变材料固有的电子转移过程,导致活性位点局部电荷分布变化。

根据电子转移方向,电荷重分布可分为电子耗尽和电子积累。借助掺杂调控电荷分布,可优化电化学反应中中间体的吸附与活化过程。

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7. MoS₂Pt–MoS₂纳米片的总态密度(DOS)与分波态密度(PDOS)分析。DOI: 10.1039/C5EE00751H】

反应路径调控

(1)可调吸附强度(能级匹配)

电催化反应通常需要输入高于热力学电位的额外能量(过电位),降低过电位的关键是使催化剂能级与特定反应的氧化还原电位匹配。从热力学角度,能级匹配反映了电子从催化剂向反应物转移的难易程度;而通过杂原子掺杂可调控催化剂能级,进而优化反应物吸附强度,这是实现高电催化活性的必要前提。

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8.与能级相关的HER机理。(AZn-MoS₂Fe-MoS₂与纯MoS₂的能带结构图。(BHER过程中配位不饱和Mo(δ⁺)Zn(δ⁺)中心的形成示意及可能的反应机理。DOI: 10.1021/jacs.7b08881

(2)多重吸附构型

电催化反应通常发生在催化剂表面,表面原子对催化性能起决定性作用。杂原子掺杂的过渡金属化合物中,多数掺杂原子靠近材料表面,不仅可调控催化剂表面结构,还能影响反应物的吸附过程。通过设计催化剂表面结构,可实现电催化中反应中间体的高效活化。

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9. 氮气固定与活化示意图。(a)由于Zr掺杂锐钛矿型TiO₂,形成氧空位(Vo)及相邻的双Ti³⁺位点。(bTi⁴⁺Ti³⁺Zr⁴⁺的离子半径对比。DOI: 10.1038/s41467-019-10888-5

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