说明：本文华算科技主要介绍半峰宽的定义和量取方式、基线与峰顶怎样决定半高位置、半峰宽与标准差和积分宽度的换算关系、高斯与洛伦兹线型各自对应的展宽来源，以及仪器线型和采集参数怎样改变…

说明：本文华算科技主要介绍晶格常数在 DFT 中的平衡定义、数值误差来源、物理模型偏差和实验比较口径。 晶格矢量与零应力平衡胞的定义 晶体的周期重复由三条晶格矢量构成。立方晶系常用…

做材料设计和物理化学计算，怎么能不懂分子动力学？今天华算科技分享一份超详细的65页PPT《分子动力学方法与计算机模拟》！ ✅透彻讲解MD的五个核心要素：粒子间相互作用势、初始条件、…

说明：本文华算科技主要介绍电化学研究中常用的十种表征技术：CV、EIS、XRD、Raman、FT-IR、SEM、TEM、BET、XPS和XAS，按电信号、物相与化学键、形貌与孔结构…

说明：本文华算科技主要介绍直接带隙与间接带隙的能量定义、光谱响应、温度效应，以及第一性原理计算中判定带隙类型的证据范围。 两种带隙怎样用两组能量定义？ 晶体中的电子态带有能量和晶体…

说明：本文华算科技主要介 XPS结合能左移、右移的坐标含义，局域化学环境、能量参照、样品电势、费米能级和能带弯曲对峰位的影响，以及用共同位移和峰间能量差辨别原因的方法。 XPS 结…

引言 OER 里经常说 *OOH 卡住反应，但这句话不能直接当结论用。真正要看的不是某个中间体名字，而是四个质子–电子转移步骤里哪一步自由能台阶最大。很多体系中 *OO…

引言 弹性常数算出来以后，很多人会直接套 Born 条件：满足就说材料力学稳定，不满足就说结构不合理。这个方向大体没错，但很容易说过头。Born 判据检查的是平衡结构在小应变附近的…

本视频由华算科技–MS杨站长团队制作，本期内容包括：【文献解读】局部pH工程如何影响电催化？界面微环境、传质与脉冲电位调控选择性！ | 华算科技 MS杨站长 Materials S…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：VASP教程 |【DFT计算】单原子催化剂应用介绍！| 华算科技-朱老师讲VASP 朱老…

说明：本文华算科技主要介绍电子结构调控的物理含义、结构与轨道之间的传递关系，以及电子态变化怎样进入带隙、吸附和反应能量判断。 有效势变化怎样改写电子态 在第一性原理计算中，电子并不…

说明：本文华算科技主要介绍电催化界面中的阳离子效应、阳离子在双电层内的分布与作用方式，以及第一性原理计算区分静电场、短程配位和界面水重排时采用的物理量。 什么是阳离子效应？ 更换 …

说明：本文华算科技主要介绍 SEM、TEM、ESEM、EDS 与 EBSD 的信号来源、成像对象、样品要求和测试选择。 基本概念：五个名称属于同一类测试吗？ SEM、TEM 和 E…

说明：本文华算科技主要介绍 XRD基线的物理来源、异常形态、判别方法和适用条件。 基础概念：XRD 基线究竟代表什么？ 粉末XRD 横坐标通常是衍射角 2θ，纵坐标是探测器在该 2…

说明：本文华算科技主要介绍X射线吸收精细结构的元素选择性、光电子有限传播距离、散射相位与振幅，以及非晶和纳米材料仍能保留近邻壳层信息的物理原因。 XAFS的“局域”到底有多远？ X…

说明：本文主要介绍同步辐射 EXAFS中配位壳层与散射路径的区别、同一壳层分出多条路径的结构来源，以及路径数量受距离分辨率和独立点数约束的方式。 EXAFS的“壳层”和“路径”指什…

说明：本文华算科技主要介绍R因子衡量的数学对象、错误模型获得低R值的几条路径、结构参数之间的补偿关系，以及筛查低残差假解的扰动检验。 R因子究竟在衡量什么？ R因子把实验曲线与计算…

说明：本文华算科技主要介绍软X射线、过渡能区和硬X射线XAS可覆盖的元素边，并把元素选择、电子跃迁、样品环境与探测方式放在同一套选边逻辑中。 元素能否按软、硬X射线简单二分？ XA…

说明：本文华算科技主要介绍成键态和反键态的能量来源、电子占据如何改变键强，以及带边缺陷和晶格振动中的判断方法。 计算得到的一组 Kohn–Sham 本征态没有自带“成键”或“反键”…

很多机制图看起来“不高级”，问题往往不是配色，而是分子间相互作用没画清楚！！ 卤键缺少方向性，离子-π看不出电荷吸引，空间排斥也没有距离感，既不直观也不精美！  这次整理了130+…