理论计算
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【Materials Studio】 DFT计算表面建模3:钙钛矿+Cu2O氧化亚铜 | MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:使用Materials Studio构建钙钛矿(CsPbI₃)001面及Cu₂O氧化亚铜001面模型,详细演示了结构导入、表面裁…
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【建模教程】vaspview构建Ni晶体结构 结构优化 晶格常数 原子坐标 | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:朱老师使用Vaspview构建镍的面心立方晶体结构,导入后显示晶格常数和原子坐标,并简要说明模型构建过程,为后续界面切割、…
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【Materials Studio】 DFT计算表面建模4:二维MoS2 | MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:二维MoS2(二硫化钼)的建模与计算过程。杨站长首先介绍了如何从已有的三层MoS2结构中切取单层表面,详细说明了切取的参数设置与…
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【VASP处理工具】VASP View分析Si的光学性质 介电函数 折射率 吸收系数 | DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP View工具分析Si晶体光学性质,包括介电函数虚实部、折射率、消光系数及吸收系数的计算与可视化! 朱老师讲V…
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吸附能:理论内涵、关键作用与研究方法综述
说明:本文华算科技将阐明吸附能的理论内涵,区分其与相关概念的异同;探讨其如何作为判断吸附类型的关键指标;梳理当前主流的实验测量与理论计算方法。 什么是吸附能? 吸附能是指一个或多个…
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【VASP教程】计算Si的光学性质详细步骤!DFT计算 介电函数 空带 | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP计算Si光学性质的方法,包括自治计算等,适用于折射率等光学参数提取。 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济…
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【VASP处理工具】科研小工具,VASP View分析Si的静电势 | DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:朱老师使用VASP View分析晶体硅的静电势分布,重点解析了平均值数据处理及可视化方法! 朱老师讲VASP,华算科技资深…
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【Materials Studio】DFT计算表面建模:催化剂金属氧化物CeO2 | MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:如何使用Materials Studio进行表面建模,特别是以CeO2催化剂金属氧化物为例。首先展示了如何切取铜的111表面,接…
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【Materials Studio】 DFT计算表面建模2:ZnS/ZnO闪锌矿纤锌矿切表面 | MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:使用Materials Studio构建ZnS(110)和ZnO(10-10)表面模型,通过Clip Surface工具切取五层…
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【VASP教程】计算Si静电势的详细步骤!DFT计算 电子结构 自洽计算 | 华算科技 朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP计算硅晶体静电势分布的步骤,包括准备结构文件、设置INCAR参数、生成LOCPOT输出文件,并强调偶极修正对表…
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什么是固体电解质界面膜(SEI膜)?
说明:本文华算科技系统介绍了固体电解质界面膜(SEI膜)的基本定义、形成过程及其相关计算化学研究。 通过理论计算(DFT、AIMD/MD与多尺度建模)可以揭示分解路径、产物性质与成…
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VASP | 理论计算常见问题解答-28
Q1:朱老师我想问一下就是做吸附的时候,比如吸附一个Li Li的距离和基底的距离多少是比较合适的? A:2埃左右 Q2:朱老师你好,我想问一下在结构优化的时候,前面都收敛了,到六…
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MS相互作用能/片段结合能脚本(聚合物、溶液、表面等) | Materials Studio Forcite/Gulp/Mesocite | 华算科技MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:MS相互作用能/片段结合能脚本的使用方法及应用范围。脚本由官方提供,适用于聚合物、溶液、表面等多种体系,可用于分子动力学Forc…
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如何探测特定原子的ELF值?ELF信息深度分析!| 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:通过计算软件探测特定原子ELF值,分析化学键性质,结合探针工具、ELF分布图及Population分析,解析共价/离子键、孤对电…
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330页PPT入门DFT:21款软件/10类电子结构计算/4大计算化学理论/VASP入门精讲!
课件共330页,为《量子化学计算入门》课程内容,为了帮助理论计算初学者及对计算感兴趣的实验人员快速建立学习构架,免费分享给大家。 内容完美契合零基础小白,带你横扫理论盲区,讲解4大…
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界面能:物理定义、重要性及基于DFT的VASP计算方法
说明:本文华算科技旨在系统阐述界面能的物理定义及其重要性,并重点探讨如何利用基于密度泛函理论(DFT)的维也纳从头算模拟软件包(VASP)进行精确的理论计算。 界面能的物理定义与科…
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【VASP能带结构计算】VASP计算Si能带结构 DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:如何使用VASP计算硅的能带结构。首先,需要将电荷计算结果转换为能带计算,读取前面的电荷和波函数。能带计算的K点数量较多,…
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自动绘制态密度!导入DOSCAR数据,一键生成DOS/PDOS!VaspView分析Si的态密度 | DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VaspView工具分析硅的态密度(DOS/PDOS),导入DOSCAR数据后生成总态密度,并通过平滑处理展示各轨道电…
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DFT计算,有空位的结构为什么报错?| 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:Materials Studio计算中结构占位(occupancy)非整数导致软件报错问题,强调宏观统计与微观实际的差异,需将非…
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超胞后,原子去哪了?| MS 杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:Materials Studio超胞计算中原子看似消失的原因,通过对比超胞前后结构,解释原子未实际减少,而是因周期性镜像在超胞显…