说明:本文华算科技主要介绍活化能与能垒的定义、电子能与自由能的区别,以及起始态、反应路径和温度响应对这些数值的影响。



一个反应的速率随温度改变,原子从反应物构型到产物构型的能量也随位置改变。活化能与能垒分别从温度响应和状态差值描述动力学。在阿伦尼乌斯定义中,活化能 Ea = RT2∂ln k/∂T,也可写为 −R∂ln k/∂(1/T)。k 是指定动力学方程的速率常数,T 是绝对温度,R 是气体常数。若Ea 与前因子 A 在所考察温区近似恒定,则 k = Aexp[−Ea/(RT)];对于正的 Ea,升温使热激活速率随指数项增大。
能垒描述沿选定路径,从初态到过渡区域的能量增量。静态电子结构计算常写ΔE‡ = ETS − EIS,TS 表示过渡态,IS 表示初态。反应能 ΔEr = EFS − EIS 则比较终态与初态。过渡态处的键长、配位和电子占据在变化,终态能量降低时,路径上仍可存在高能构型。

材料计算中的反应坐标可以由断键距离、成键距离或多个原子的集体位移构成,也可以只是归一化的路径编号。横轴通常没有时间含义;曲线给出特定模型中的构型能量序列。零温势能面上的过渡态对应一阶鞍点,其沿反应方向的曲率为负,横向局部稳定。
论文也会把势能面上的路径高度称为“活化能”,并标成 Ea。同名数值须按计算或测量来源区分:温度斜率来自速率常数,静态能量差来自两个构型。eV 常用于单次原子事件,kJ mol−1 用于摩尔量;1 eV 对应每摩尔事件约 96.49 kJ mol−1。采用单次事件能量时,速率指数的分母为 kBT;采用摩尔能量时,分母为 RT。单位换算后,起始态和物理定义仍须一致。



静态 DFT 的总能随核坐标变化,得到电子能剖面。零点振动、热激发与熵随后改变各状态的相对位置。活化焓 ΔH‡ 包含相应温度下的焓差;活化自由能满足 ΔG‡ = ΔH‡ − TΔS‡。吸附物的受限振动、配体排列和溶剂重排,都可影响过渡态相对初态的熵。
在碱性析氢的界面模型中,水解离生成金属氢与溶剂化 OH−,电极电荷与水网络的重排会改变焓和熵。所提出的溶剂重排解释允许离子过渡态具有更多可达构型,使活化熵增加,在焓代价上升时仍降低活化自由能。该示意针对电极界面的状态变化,电子能、焓和自由能采用各自的物理定义。

固定标准态的一阶过渡态理论形式为k = κ(kBT/h)exp[−ΔG‡/(RT)],κ 为传输系数,kB 为玻尔兹曼常数,h 为普朗克常数。若 κ 的温度变化可忽略,对这条速率式求温度导数可得 Ea ≈ ΔH‡ + RT,活化熵则进入前因子。反应级数及标准态改变后,速率常数的单位也随之改变。
初态和过渡态的振动频率用于构造零点能及热修正。过渡态沿反应方向的虚频模不作为稳定谐振子计入振动配分函数,该方向由反应通量描述。很低的正频率若按谐振子处理,会放大熵贡献;吸附物的受限转动、平移和溶剂重排也涉及额外构型,所得自由能差会随处理方式改变。
有限温自由能剖面可由构型采样得到,过渡区域包含满足所选变量的一组构型,单个优化鞍点只描述其中的静态结构。溶剂氢键、柔性吸附物和低频振动会影响采样权重;遗漏慢变量的反应坐标可能将不同构型投影至相同位置,所得自由能高度随之改变。晶面、覆盖度、自旋态、泛函和溶剂近似须对应到各自的剖面。



把所有状态的绘图能量加上同一个常数,能量差会保持不变;改变起始物理状态才会改变所比较的高度。Cu(111) 的甲醇解离剖面以气相 CH3OH 加洁净表面为零点,吸附态为 −0.42 eV,O–H 断裂过渡态为 0.79 eV。相对气相参考的高度是 0.79 eV,相对吸附态则为 1.21 eV。
Br4TPP 在 Cu(111) 上的两种构象具有相近的吸附结合能,平移过程损失的表面接触却不同。计算的迁移能垒约为 0.105 和 0.170 eV,取决于分子平移时各环与铜表面的排布。初末吸附构型能量相近,过渡路径中的局域形变仍会改变峰高;该横轴用分子位移距离表示。

同一过渡态连接一对初末态时,正向与逆向能垒之差等于反应能:ΔE‡f − ΔE‡r = ΔEr。反应物、产物标准态和温度压力固定时,完整催化循环的净自由能变化保持不变,催化路径可以调整各步过渡态高度与中间体分布。外加电位或机械力若改变状态能量,适用的热力学条件也已改变。
Ni 上的二氧化碳加氢可经过碳化物、甲酸盐或羧基相关路径,不同晶面还给出不同吸附位点。每个基元步骤的能垒从该步初态量起,全图最高峰相对最左端的高度未必属于单个步骤。台阶可稳定某些吸附物,过渡态也受局域配位影响,较低的中间体能量与较低的反应能垒会出现不同排序。

多步路径中,一个深的吸附极小值可能使相邻步骤的局部能垒增大。稳态占据和相邻过渡态的自由能差共同影响反应物通过该步骤的速率。NEB 给出选定初末态间的候选最小能量路径,离散最高图像须经过鞍点优化、频率及路径连接检验;图像间漏掉更高构型时,报告的高度会偏低。



催化实验通常记录单位质量或单位位点的总反应速率。温度还会改变吸附覆盖与参与反应的位点数。在其他浓度和位点数量固定、r ∝ kθ 的简化模型中,Ea,app = Ea,step + RT2∂ln θ/∂T。θ 表示相应反应物的占据比例,吸附平衡的温度响应因此进入表观斜率。
CuO–CeO2 的 CO 氧化中,0.05–1 wt% CuO 负载范围的 Arrhenius 斜率接近,报告的 Ea 约为 62 ± 2 kJ mol−1;较高负载时,Ea 逐渐增加,20 wt% 时达到约 130 kJ mol−1。低负载区的CO 转化率随原子 Cu 位点的 EPR 强度近似线性增加。图中横轴为 1000/T,若 ln k 对该横轴的斜率为 m,则 Ea = −1000Rm。原文将两组负载区间的空速分别设置,斜率、TOF 与样品组成须在相应条件下比较。

较强吸附使初态占据随升温下降时,覆盖项可抵消基元速率常数的增长,产生较小甚至负的表观活化能。并行反应的温度依赖权重也会改变总速率的斜率。传质限制、局部温差或随温度发生的表面重构,分别改变物种供给、实际温度与位点组成,拟合前后测量对象可能随之变化。
Mo2N(112) 上,直接解离与 H* 辅助的 C–O 活化路径给出 0.66 和 0.45 eV 的高度。两条路径的初态含有不同共吸附物种,原图标为 Ea 的数值来自对应 DFT 路径。实验温度斜率还包含氢吸附、二氧化碳占据及其他基元步骤的响应,比较时应明确计算步骤与实验净反应。

在同温、相近前因子和相同参与物种下,较低的活化自由能通常对应较大的基元速率常数。回穿、氢转移隧穿和振动能量分配会进一步改变传输系数或速率前因子。H* 辅助的 C–O 断裂要求氢与吸附 CO2 在邻近位点同时存在;氢分压与温度改变这两种物种的占据,实际反应速率随其共吸附概率变化。
