说明:本文华算科技介绍了电子转移的定义、判断方法及其表征技术。围绕电子转移是否发生、转移量、转移速度和机制四大核心问题,阐述了循环伏安法(CV)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线光电子能谱(XPS)、电化学阻抗谱(EIS)、原位拉曼光谱和X射线吸收光谱(XAS)等多种技术的判断依据与应用。
电子转移(ET)是指电子从一个化学实体(分子、原子、离子或配合物)移动到另一个化学实体的过程。这个过程通常伴随着化学实体氧化态的改变,即电子给体被氧化,电子受体被还原,这是一个氧化还原反应的核心步骤。

DOI: 10.1021/ar500271d
循环伏安法(CV)
循环伏安法(CV)是判断电子转移是否发生的首选技术。在一个典型的CV实验中,施加在工作电极上的电位以一个恒定的速率(扫描速率,v)从起始电位线性扫描至一个折返电位,然后再反向扫回。
记录此过程中的电流响应,即可得到一张电流–电位(i-E)图,即CV曲线。

DOI: 10.1021/acs.jchemed.7b00361
如果在CV曲线上观察到一对或一个明显的电流峰(氧化峰和/或还原峰),这便是电子转移发生的直接证据。氧化峰对应于物质在电极表面失去电子的过程,而还原峰对应于得到电子的过程。峰电位(Ep)大致反映了发生电子转移所需的热力学驱动力。

紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)
UV-Vis光谱测量物质对紫外和可见光的吸收情况,反映的是分子中电子能级跃迁的信息。
在一些由电子给体(D)和受体(A)组成的体系中,可能会形成电荷转移配合物(D-A)。这种配合物在紫外或可见光区会表现出D和A单独存在时所没有的、新的、宽化的吸收带,称为电荷转移(CT)吸收带。
观察到CT带是分子间存在强电子相互作用的标志。

DOI: 10.1007/s11468-025-03141-x
电子顺磁共振波谱(EPR)
EPR是唯一能够直接检测含有未成对电子的物种(即自由基)的技术。许多电子转移反应,尤其是单电子转移过程,会生成自由基阳离子或自由基阴离子。
在EPR谱仪中,这些自由基会在外磁场下吸收特定频率的微波,产生特征的EPR信号。因此,在反应体系中检测到EPR信号,是单电子转移发生的铁证。

DOI: 10.1039/d4ee00445k
荧光光谱
荧光是物质吸收光子后从激发单重态回到基态时发光的过程,对分子所处环境极为敏感。
荧光猝灭是表征光致电子转移的经典方法。如果一个分子(荧光体)在吸收光子后,其激发态电子不是通过辐射荧光回到基态,而是转移给了另一个分子(猝灭剂),那么其荧光强度就会降低,即发生荧光猝灭。
通过测量荧光强度,可以证明电子转移的发生并计算其速率。

DOI: 10.1002/aenm.201901268
X射线光电子能谱(XPS)
XPS是一种高度表面敏感的能谱技术,通过分析X射线激发出的光电子的能量,来获取材料表面元素组成、化学态和电子态信息。
电子转移直接导致元素的氧化态发生变化,而元素氧化态的变化会引起其核心能级电子结合能的系统性偏移(化学位移)。这是XPS表征电子转移的核心依据。

DOI: 10.1002/anie.202403023
失去电子(被氧化):原子核对剩余电子的束缚增强,导致结合能向高能方向移动。得到电子(被还原):核外电子云密度增加,屏蔽效应增强,导致结合能向低能方向移动。
如何判断电子转移多少:当一个元素以多种价态共存时,其XPS峰会表现为不对称的宽峰。通过高斯–洛伦兹函数对该峰进行拟合,可以解析出对应不同价态的子峰。
各子峰的积分面积之比,代表了不同价态物种的相对含量。通过比较反应/处理前后不同价态的比例变化,可以定量地评估电子转移了多少。

电化学阻抗谱(EIS)
EIS可以定量地告诉我们电子转移有多快。EIS通过向体系施加一个微小振幅的正弦交流电压(或电流)扰动(通常为5-10mV),并测量在很宽频率范围(如从1MHz到0.1Hz)内的电流(或电压)响应,从而获得体系的阻抗信息。
EIS的数据通常用Nyquist图表示。图中高频区的半圆直径对应于电荷转移电阻(Rct)。Rct是衡量电子转移动力学快慢的关键参数,其物理意义是电子穿过电极/电解质界面双电层时遇到的阻力。Rct值越小,表明电子转移的阻力越小,速率越快。

DOI: 10.1016/j.bbadva.2023.100095
计算电子转移速率常数:Rct与标准异相电子转移速率常数(k0)成反比。通过公式:

其中,R是气体常数,T是温度,n是转移电子数,F是法拉第常数,A是电极面积,C是反应物浓度。可以从实验测得的Rct值计算出k0,从而实现对电子转移速率的精确定量。

循环伏安法(CV)
通过循环伏安测试得到活性材料在不同扫速下的CV曲线,从曲线中可以得知每个氧化峰以及还原峰对应的峰值电流,由Randles-Sevcik方程可以得到D0。
ip = 0.4463nFAC(nFvD0/RT)1/2
方程中ip为峰值电流(A),n为转移电子数,F为法拉第常数(96485C·mol−1),A为工作电极的面积(0.0314cm2),C为活性物质的浓度(mol·cm-3),v为扫速(V ·s-1),R为理想气体常数(8.314J·K-1 mol-1),T为测试温度。
根据实验数据拟合出v1/2-ip的直线可以得到直线的斜率,再经过计算得到D0。

DOI:10.1002/aenm.202403354
电子转移速率常数(k0)越高意味着电子转移速度更快,较低的电子转移速率意味动力学缓慢,需要克服更大的过电位。采用变速CV测试得到电子转移速率,该方法以以下两个等式为基础。
Ψ=(-0.6288+0.00214ΔEp)/(1-0.0174ΔEp)
Ψ=k0(πnFvD0/RT)-1/2
等式中,ΔEp为氧化峰和还原峰的电位差(mV)。计算得到Ψ的值,拟合出v-1/2-Ψ的直线,得到直线的斜率后计算得到k0。

DOI: 10.1021/acs.energyfuels.4c05341
原位拉曼光谱
原位拉曼光谱通过监测分子振动模式的变化,直接反映电子转移过程中的键长、键角和电荷分布演变。电子转移伴随的氧化态变化会引发晶格畸变,导致拉曼峰宽化;若出现新峰,则对应新物相生成(与电荷转移直接相关)。
例如MnO₂/GO杂化物中,640cm⁻¹峰在+0.6V时宽化,且出现625cm⁻¹新峰,对应Mn⁴⁺→Mn³⁺还原引发的MnOOH新相生成,氧空位增多,印证电荷转移引发的结构重构。

DOI: 10.1063/1.5028412
电化学充放电过程中,拉曼峰强度往复变化,说明电荷转移具有可逆性(核心性能指标)。例如CoO/ErGO杂化物在-0.2V→+0.8V→-0.2V循环中,G带强度从1.0×10⁴计数降至0.6×10⁴再恢复至0.9×10⁴,对应电子转移的可逆注入/抽出。

DOI: 10.1063/1.5028412
X射线吸收光谱(XAS)
通过X射线吸收光谱(XAS)的XANES(X射线吸收近边结构)和EXAFS(扩展X射线吸收精细结构)联用,结合标准样品对比和配位环境分析,系统揭示了催化剂中的电荷转移机制。
氧化态升高(失去电子)时,XANES吸收边向高能方向偏移;还原态(得到电子)向低能偏移。如图所示Ru、In、Zn的吸收边向高能偏移,Pt无明显偏移,直接证明电子从Ru、In、Zn向Pt转移。

DOI: 10.1038/s41467-024-45369-x
EXAFS可解析元素的近邻配位原子类型、键长和配位数,为电荷转移提供结构证据。例如i-ZnIn-PR中Pt的EXAFS出现Pt-Pt/In/Zn配位峰,说明In、Zn与 Pt直接键合,形成电子传递通道。

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