Q1：朱老师，在建立一系列合金slab模型以后，我想要利用d带中心其吸附能力进行衡量，第一个问题：用总态密度进行d带中心的计算可以得到slab模型的吸附强弱，那么我利用表面不同元素的一个原子的态密度计算两个d带，可以用来比较元素的吸附能力强弱嘛？
A：合理的是用活性位点的原子来计算，整体没有意义
Q2：朱老师，功函数和d带中心都是要在态密度基础上计算的，那么功函数也就存在上面那么问题啊，课程的例子是一个相同的Pt，但是如果合金不止一种元素，我可以计算某一个位置的d带或者功函数，来比较相关元素的吸附能力、得失电子能力吗？
A：功函数是整体的，不需要态密度的结果，只要电势和费米能级
Q3：朱老师，计算声子谱的方法有一种叫有限位移法，通过phonopy生成N个不等价结构，分别进行自洽计算，最后提取他们的vasprun.xml进行分析。但是最近我发现对于体系层状异质结要考虑范德华力的情况，只能用IBRION=5或6，官网把这种方法叫有限差方法，请问老师有限位移法和有限差方法是不是同一种东西? 要考虑范德华力时是不是不能使用DFPT方法。
A：有限位移就是有限差分，dfpt好像不支持dft-d方法
Q4：朱老师，请问一下原子优化四分钟结束了，outcar正常，但是contcar里的原子位置没有变化，这是怎么回事呀
A：那就一步结束了，没有移动
Q5：朱老师，虚频从乘0.1一直到乘0.4 虚频越来越大 有什么办法吗
A：那只能继续消除了
Q6：朱老师，这个我一直有一个地方不清楚，是从初始结构乘系数调坐标，还是不断用调过坐标算完得到的结果再继续调坐标呢
A：是继续调整
Q7：朱老师，金属表面的功函数大小可以用来定性分析REH过程的难以程度嘛？
A：可以用来评估电子转移难易程度，不是催化性能
Q8：朱老师，对于有自旋的系统，我该如何分析VBM CBM呢？
A：如果是半导体，上旋vbm-cbm是76-77，下旋同样找占据数从大于0.5到小于0.5
Q9：朱老师，如果我想分析BandGap，我应该把上下旋放在一个图里分析，还是分开分析更好呢？如果他们的BandGap值不同，我该以哪个为准呢？
A：分开分析，以小的为准
Q10：朱老师，请问一下，材料表面吸附有机小分子，需要对小分子进行结构优化吗？
本次答疑由拥有15年VASP实战经验的华算科技朱老师（同济大学本博、深圳海外高层次人才）提供。👉点击进入《VASP | 理论计算常见问题解答专题》，快速查找更多计算解决方案。
A：可以吸附上一起优化
