界面电荷转移
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氧空位:金属氧化物的“缺陷”逆袭之路
总结:从“坏缺陷”到“神助攻”,氧空位正改写金属氧化物的命运。一个氧原子的离去,重排局域键合与电荷,拉低带隙、放出自由电子,让绝缘体变半导体甚至近金属。 在表面,它化身未配位活性位…
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功函数:催化表面电子过程的调控枢纽与理论计算
功函数(Work Function, Φ)作为表征材料表面电子逸出能力的核心物理量,在催化科学中具有重要地位。它不仅反映了表面静电势垒的高度,还与电子结构、吸附特性、界面电荷转移等…
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金属与载体相互作用:电子结构调控、界面表征(HRTEM/XAFS)及反应性能
金属与载体之间的相互作用(Metal-Support Interaction, MSI)是异相催化领域中一个至关重要的概念,它不仅影响催化剂的物理结构和电子结构,还直接调控催化剂的…