EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比

电子背散射衍射(Electron Backscatter Diffraction,EBSD)技术对样品表面质量、晶体完整性及物理状态有严格要求,因其通过检测样品表层(通常10-50 nm深度)晶体的菊池花样分析微观结构,任何表面缺陷或损伤都会直接影响数据可靠性。本文将介绍EBSD样品的核心要求及三种制备方法。

01

核心要求

1、无机械磨抛残留与超高平整度

·禁止残留砂纸划痕、磨料颗粒嵌入或抛光布纤维痕迹,这些会散射电子束,导致衍射花样对比度下降;

·表面需无宏观划痕、凹陷、凸起或台阶,否则会导致电子束入射角度不稳定,衍射信号模糊或丢失;

·表面粗糙度需控制在Ra ≤10 nm,纳米级的平整性可确保菊池花样清晰。

2、表面无损伤层,保留原始晶体结构

·消除塑性变形层,机械抛光会在表面引入塑性变形层,缺陷会破坏晶体周期性,导致菊池花样弥散、取向分析错误,甚至无法获得有效数据。

·避免电化学损伤,电解抛光若参数不当,可能导致晶界优先腐蚀、表面氧化或过腐蚀,形成蚀刻坑,干扰衍射信号

3、良好的导电性

·EBSD 检测在扫描电镜(SEM)中进行,样品需具备良好导电性,否则会因电子积累导致电荷效应,干扰电子束聚焦和衍射信号采集。

02

机械磨抛

技术原理:

利用不同粒度的磨料对样品表面施加机械力,通过磨料的切削、研磨作用,去除上一步骤留下的划痕和变形层;随着磨料粒度从粗到细,单次切削深度减小,表面粗糙度降低,最终实现纳米级平整表面。

EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比

图1 机械抛光示意图

03

电解抛光

技术原理:

样品作为电解池的阳极,惰性材料(如Pt)作为阴极,两者浸入特定电解液中并施加直流电压。通电后,阳极(样品)表面发生氧化反应,金属原子失去电子成为离子进入电解液,而表面凸起处的电流密度更高(电场集中),溶解速度远快于凹陷处,最终使表面趋于平整光滑。同时,电解液会在样品表面形成一层钝化膜(如氧化膜或粘稠的盐膜),凹陷处的钝化膜更厚,进一步抑制溶解,强化整平效果。最终获得光滑、无应力的表面。

EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比

图2 电解抛光示意图

04

离子抛光

技术原理:

离子源(常为Ar离子)在高压电场作用下被电离加速,形成高能离子束;高能离子束轰击样品表面,与表面原子发生动量交换,当离子能量超过材料表面原子的结合能时,表面原子会被“撞击”脱离样品;通过控制离子束的能量、入射角、轰击时间和范围,可实现材料的均匀去除,逐步消除样品表面的划痕、变形层和微观凸起,最终获得原子级平整的表面。

EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比

图3 离子研磨示意图

05

EBSD制样方法对比

EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比

06

实际案例

EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比

图4 镍嵌入钛中的EBSD图

EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比

图5 黄铜的EBSD图

EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比

图6 离子抛光案例图  

本文源自微信公众号:中材新材料

原文标题:《速看!EBSD 制样核心要点与 3 种抛光方法对比》

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