Q1：朱老师，不在同一平面的结构做不出完整的ELF图吗，总是少一部分？
A：正常的，切面只能是共面效果最好
Q2：朱老师您好 我算的dos 其中total dos有个别峰都达到1000ev 其余大部分也都在400 500 成键原子间的dos却比较小可能都不到1ev 是参数设置的有问题吗？
A：用ismear=0， sigma=-0.1
Q3：朱老师您好！请问功函数的计算中，构成异质结的两种材料都是半导体才可以计算吗？
A：不是，都可以算
Q4：朱老师，我最近在对CeO2的111面，做结构优化，但是一直不收敛。我是先对块体惯用胞进行结构优化，自洽后再切面111 两层，并得到一个六层的结构，固定两层后进行结构优化？
A：考虑一下磁矩调整，MAGMOM
Q5：朱老师您好，请问吸附能，结合能，吉布斯自由能哪个能判断结构的稳定性?这三种有啥区别?
A：计算方法不一样，稳定性看吸附能，自由能主要是电催化用
Q6：朱老师 我计算C3N4 OER吸附路径时发现它形变很大，这个程度是可以接受的吗?
A：正常cn这个材料就是会这样
Q7：朱老师晚上好，请教一个问题，我用aimd跑了一个初始构型，之后用来算恒电势DFT，保留了水分子，采用vaspsol++计算的，这是计算过程的能量，波动很大，请问这个时候的计算结果可信吗?
A：模型太小了,调整重新跑下看看
Q8：朱老师您好 我想请教一下，高熵合金结构优化的时候，是要ISIF=3进行优化吗? 以及，我可不可以限定α，β，γ角不变进行优化？
A：一般要放开优化
Q9：朱老师，结和实验根据质谱推算出一个团簇结构，我建模结构优化一直散架，换了几种构型都散架，是因为结构不合理吗？
A：是的，构型问题
Q10：朱老师您好，算过渡态时初末态是优化后找到能量的最低点，中间的插点能量会比最低点能量还低怎么解释呢？
A：调整一下过渡态路径和初末点
