传统模型过时了！VASPsol隐式溶剂法：全面掌握电化学界面精准建模，朱老师带你玩转VASPsol！

传统电化学计算采用催化剂/电极-真空模型，忽略了溶剂效应，导致分子吸附能过强、反应势垒失真。

VASPsol插件通过隐式溶剂化模型，引入连续介质的介电常数，在计算量相近的前提下，显著提升吸附能与反应能垒的准确性，更贴近真实电化学界面环境！

本次VASP公开课将由华算科技的朱老师给大家介绍VASPsol的安装、隐式溶剂和真空模型在静电势与分子吸附方面的差别。

4月9日（明晚）19:00，直播+回放，互动答疑！

上课方式：识别下方二维码，回复“VASPsol”，免费上课。

本期主题：隐式溶剂效应

特训收获

一、VASPsol安装

· 手把手教你下载插件、修改VASP源码、编译补丁（GitHub加速技巧+关键参数配置），解决“安装难”问题！

二、静电势计算

·对比真空/隐式溶剂的静电势分布，详解半导体表面建模、偶极修正技巧，避免周期性镜像误差。

三、分子吸附与催化分析

· 结合差分电荷密度与结合能计算，揭示溶剂效应对CO、H₂O等分子吸附的调控机制，适配实验极化曲线。

课程内容

一、VASPsol安装

本章介绍VASPsol插件的安装过程，具体包括插件的下载，VASP安装文件修改，VASP编译等步骤。

1. VASPsol插件下载：在VASPsol的github网站下载插件并获得patch文件

2. VASP安装文件修改：将插件中的solvation.F复制到src目录并运行patch命令

3. VASP安装：调整makefile.include文件并运行make all命令

图1. VASPsol插件安装步骤

二、静电势计算

本章介绍隐式溶剂和真空模型的静电势分布差别，具体包括半导体表面模型构建、静电势计算、偶极修正等。

1. 表面模型构建：在结构优化的基础上通过切晶面的方法构建表面模型

2. 静电势计算：在自洽计算中加入LVHAR标签输出体系的静电势分布

3. 偶极修正：在真空模型中引入反向偶极矩，抵消真空区域因为周期性镜像而形成的偶极矩

图2. 表面模型

图3. 静电势与功函数

图4. 偶极修正

三、分子/原子吸附

本章介绍隐式溶剂与真空模型的分子/原子吸附计算，并分析结合能与差分电荷密度。

1. 分子/原子吸附：构建吸附模型并通过结构优化得到稳定的吸附结构

2. 结合能：将结合后结构的能量与结合前的能量作差，即可得到结合能

3. 差分电荷密度：将结合后的电荷分布与结合前的电荷分布作差，即可得到差分电荷密度

图5. 分子吸附构型

图6. 结合能

图7. 差分电荷密度

讲师介绍

朱老师：华算科技资深技术，同济大学本科直接攻读博士学位（4年），海外3年以上博后经历，发表高质量独立一作SCI论文30篇，回国后被授予深圳市海外高层次人才。

拥有15年理论计算模拟经验，成功讲授100+场理论计算培训和超过10万人的学习理论计算公开课。

上课方式：识别下方二维码，回复“VASPsol”，免费上课。

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