Q1：朱老师，请问在计算吸附能的过程中是不是IVDW这个参数也一直保留，在仅计算金属催化剂表面的能量时发现加IVDW和不加有显著差异？
A：要么全程都开，要么全程都关；绝不要混用；
在三项里使用同一套泛函与色散处理（同一个 IVDW/vdW-DF/rVV10 等），金属表面本身那一大块“自色散能”会在差分中基本抵消，剩下的主要是吸附体与表面的交互色散;
用 PBE 体系：推荐 PBE-D3(BJ)/D4 ，并且在几何优化 + 最终单点的三项能量里都保持一致。
Q2：朱老师，这种MOF结构优化，考虑磁性有必要扩建成超胞来计算吗？我看了文献它讨论的MOF的磁性好像都只考虑一个cell的情况？
A：避免结构太大可以采用单胞进行计算；
文献常用原胞，是因为该 MOF 的原胞本身已含有够用的磁性位点，能表达他们讨论的 AFM/FМ 构型；
体系若原胞中每条主要交换路径只有 1 个金属位点，就必须在那条路径方向倍增才能模拟 AFM。否则，用原胞即可。
Q3：朱老师，为啥会提示“WARNING: stress and forces are not correct”？
A：这个提示无所谓，prec=A可以消除；
在做 DOS/能带的非自洽计算：
在这种情况下，体系的能量不是变分极小值，Hellmann–Feynman 力和应力的导数不成立，VASP 因此提示，也就是说，这一步里打印的力/应力没有物理意义，但并不影响得到 DOS/能带。
做 DOS/BS 时：NSW=0，ICHARG=11（或等价非自洽设置），ISMEAR=-5 SIGMA=0.05，NEDOS/LORBIT 等；忽略该警告即可。
几何优化或需要真实力/应力的计算里看到这条警告，说明误用了非自洽设置；改为自洽（ICHARG=0/2，不要 11）并用合适的涂抹（如金属 ISMEAR=1 SIGMA≈0.2），即可消失。
Q4：朱老师，我计算氧化铈的dos时，没有带隙，且费米能级以下O的占据太远低于ce的，计算结果和文字里面差的有点大，这种情况怎么解决呢？
A：一定要给 Ce-4f 加 U 或用杂化泛函；
推荐 PAW 势：用 Ce_pv；
DOS 步误用 ISMEAR=1, SIGMA=0.2 → 绝缘体被人为抹成金属，用 ISMEAR=-5；
PDOS 投影不准、RWIGS 不当，O-2p 强度被低估。需要 设置合理 RWIGS 或查看 总 DOS + 元素总投影 做交叉验证。
Q5：朱老师，催化剂设计中金属氧团簇的d带中心比单个金属的要更深一点，但是势能面中反应物吸附这一步的自由能要更低，这种情况应该怎么解释呀？
A：不矛盾，这是d-带中心模型的适用边界与额外稳定位点，相互作用共同作用的结果；
描述子失配、耦合增强可抵消“中心下移”、电荷或配体与双功能效应、氧 p-带参与等都可能导致出现这个问题；
d-带中心更深却吸附更强在 M–O 团簇里是合理的：活性位已从单金属 d变为金属-氧协同位，耦合增强、双功能氢键、表面电场与溶剂稳定等效应，会使 ΔG_ads 下降。用d-带上沿 / e_g 占据 / O-p 带中心 / COHP等更贴近成键本质的指标去解释，通常就能把现象讲顺。
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