VASP | 理论计算常见问题解答-46

Q1:朱老师,算吸附能是直接用结构优化的来算,还是还需要静态自洽计算呀

A:自洽能量

Q2:朱老师下面的是怎么标的

VASP | 理论计算常见问题解答-46

A:这是计算能带选取的高对称K点吧,就是vaspkit给的KLABELS文件vaspkit 3) K-Path For Band-Structure

Q3:朱老师,结构优化100个离子步了力还是没有收敛的趋势要把作业停掉吗154个原子

A:接着算吧,200-300正常

Q4:朱老师,反应物CH4在催化剂A位点吸附更稳定,但是CH3+H在B位点吸附更稳定,A和B位点距离3埃左右,这种情况该如何处理呢?

A:选择a附近分解,反应应该连续,否则要考虑a到b的势垒

Q5:朱老师,我加了真空层以后,还需要在incar中添加范德华力vdw的计算吗?

A:加,真空是避免周期性镜像间作用,vdw是不成键的作用

Q6:朱老师,在计算表面模型的DOS的时候,如果把slab的一半原子固定住的时候,算出来的DOS在0-1eV区间里面有多出来的态。但是如果不对原子进行固定的模型,算出来的DOS就没有这个多出的态。这种是什么原因导致的,是正常的吗?后面我想用吸附了分子的结构的DOS与表面的DOS进行比较分析,那么我是要用固定了一半原子的表面模型的DOS吗?

A:比较单个原子dos,的受到表面态影响,没有意义比较总体,和位点附近的

Q7:朱老师,计算lobster提交任务之后,这个百分比就没动过,这个情况应该这么处理啊?这个体系比较大(200-300个原子吧)

A:原子多就比较慢,可以后台运行,等等吧

Q8:朱老师,对于这样C3N4的掺杂金属的体系,需要对金属原子设置个初始磁矩吗? 比如像是Ni(111)就有很强的磁矩,我把Ni原子掺杂到这个二维材料的时候,需要对Ni设置个初始磁矩吗?谢谢老师!!!

A:需要设置

Q9:朱老师,计算HOMOLUMO能带选完后计算的电荷不在结构上,而是整个晶胞内都是,这是为什么呀

A:提高电荷刻度

Q10:朱老师,有个问题想问一下,算吸附超氧阴离子的话,它和氧气一样都是俩氧原子,该如何设置或者操作呀

A:这个很难区分,建议用高斯操作。

本次答疑由拥有15年VASP实战经验的华算科技朱老师(同济大学本博、深圳海外高层次人才)提供。👉点击进入《VASP | 理论计算常见问题解答专题》,快速查找更多计算解决方案。

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