VASP如何进行结构优化?

VASP结构优化原理

结构优化的核心目标是通过调整原子位置或晶格参数,使体系的总能量达到最小值。在VASP中,这一过程通常通过迭代算法实现,例如共轭梯度法(Conjugate Gradient)或准牛顿法(Quasi-Newton)。
优化过程中,系统会根据当前的原子力和能量变化进行调整,直到满足预设的收敛条件(如能量变化小于设定值)。
VASP如何进行结构优化?
结构优化的理论基础是密度泛函理论(DFT),其核心是通过交换-相关泛函(如GGA或LSDA)来描述电子结构。
在VASP中,常用的交换-相关泛函包括Perdew-Wang 1991(PW91)和PBE等。这些泛函通过近似描述电子之间的相互作用,从而计算体系的总能量和结构。

准备工作

VASP计算需要准备超算连接软件EASYCONNECT与SSH,建模软件VESTA,以及VASP的输入文件INCAR,KPOINTS,POTCAR
VESTA软件下载链接
jp-minerals.org/vesta/en/download.html
EASYCONNCT软件下载链接
EasyConnect下载-EasyConnect最新版下载V7.6.7.0
Winscp软件下载链接
Downloading WinSCP-6.5.3-Setup.exe :: WinSCP

VASP输入参数

INCAR文件:
ISTART=0    #开始新的任务,随机产生初始波函数
ICHARG=2  #开始新的任务,从原子电荷密度产生体系初始电荷密度
PREC=M   #计算精度,决定ENCUT
ISPIN=2    #打开自旋极化
ALGO=N  #确定电子优化的算法
NELM=60   #电子波函数最多计算60步
EDIFF=1E-5  #相邻两步电子迭代的能量差收敛标准
ENCUT=400  #平面波截断能400 eV
IVDW=11   #考虑范德华力修正
IBRION=2   #共轭梯度算法用于结构优化
NSW=100   #离子弛豫的步数
ISIF=2   #固定晶格优化原子坐标
EDIFFG=-0.1  #离子弛豫的force的收敛标准
ISMEAR=0   #费米能级附近电子占据数为高斯分布,适合金属、半导体、绝缘体
SIGMA=0.1  #高斯分布展宽0.1 eV
LORBIT = 10 #局域态密度
KPOINTS文件:
Automatic generation  #注释行
0  #自动产生K点网格
G   #布里渊区K点网格以Gamma点为中心
6 6 1  #K点网格密度
0 0 0  #K点网格中心平移矢量

Pt结构优化计算

第一步,进入pt计算文件夹
cd crystal/pt 
将结构优化opt文件夹复制成001面结构优化pure文件夹
cp -r opt pure 
进入pure文件夹
cd pure
VASP如何进行结构优化?
第二步,构建001面模型并优化结构
通过winscp在pure文件夹中下载CONTCAR文件
VASP如何进行结构优化?
用VESTA软件打开CONTCAR文件并保存成Cartesian坐标格式
VASP如何进行结构优化?
文件名pure.vasp,类型为vasp
VASP如何进行结构优化?
坐标类型选择Cartesian格式
VASP如何进行结构优化?
用文本编辑器打开pure.vasp文件,并添加真空层,固定部分原子
VASP如何进行结构优化?
将修改后的内容复制到超算POSCAR中
VASP如何进行结构优化?
修改KPOINTS文件
vi KPOINTS
VASP如何进行结构优化?
修改INCAR文件,设置ISIF=2
VASP如何进行结构优化?
通过sbatch JOB命令提交计算任务,
sbatch JOB
第三步,用VESTA查看计算输出文件CONTCAR
在winscp软件中找到结构优化路径,将计算输出的CONTCAR文件下载
VASP如何进行结构优化?
用VESTA软件打开刚才下载的CONTCAR文件
VASP如何进行结构优化?

总结

本文给大家介绍pt的 001 表面结构优化计算,目的是为后续的催化做准备。大家知道pt的111 面在催化HER方面性能是非常突出的,文献中也有很多相关的计算案例,这里换成001 面来给大家做一个展示,之前已经优化了pt的晶体结构,在这个opt文件夹中,接下来把它复制成pure,就是不吸附的001 面,为了后续的吸附计算做准备。
要在晶体的基础上切表面,先把它优化的CONTCAR 下载,那么下载opt的CONCAR 和下载 pure 的 CONTCAR 都可以,因为它都是一样的。打开刚才的CONTCAR,由于001 面比较特殊,只需要在 c 方向把晶轴加长,然后引入真空就可以了。
如果说是其他任意的面,比如它经典的 111 面或者 110 面,那就需要用到其他一些软件来进行切晶面,当然你理论功底足够好的话,自己也可以去手动切晶面,这个一般人做不到,所以这边也不要求,但是 001 面是可以很简单的手动操作的。先把结构导出,就叫做pure.vasp,选择笛卡尔坐标,然后在写字本里面打开它,刚才说了 c 方向加长,比如加到15A,那么本来是4A,多出来11A就是真空层。
另一方面需要把表面原子一部分固定,一部分优化,这个是表面模型所必须的。这里一共就两层,”0”这里是一层, “1.98”是第二层,就一半固定,一半优化。当然这个例子比较简单,模型较薄,实际的模型不能这么薄,最起码得五六层。这里 F代表固定,T代表正常。先在 VESTA 当中看一眼这个加长之后是什么样子,可以看到就两层原子,然后这里一段是空的,就是真空层,这上面是下面这个的周期性镜像,可以忽略它。
然后把它粘贴过来,注意加 T、F 的时候这个 S一定要加,那么改了晶胞之后, k 点要相应调整一下, c 方向加长到了15,所以 k 点选择这个方向改成 1。a 和 b 没有动,我们也不变。然后 INCAR 也要调整一下, ISIF改成2,因为表面模型是固定晶包,固定部分原子进行优化,其他的自洽计算部分就不用动。
那么还是4个原子,那么由于加了真空,速度会稍微慢一些。计算完成,那把这个 CONTCAR 下载下来和 POSCAR 做一个对比。看上面这一层,这是优化前。优化后之后会发现在整个一层往下略有移动,这个移动的幅度是很小的,现在是1.89,这是优化后的 c 坐标,优化前 1.98 ,差了 0.1 ,那是由于上面没有原子了之后下面的键会加强,这是表面重构现象,虽然这个重构是非常微弱的, 0.1 个A 的距离。
本文干货内容由拥有15年VASP实战经验的华算科技朱老师(同济大学本博、深圳海外高层次人才)撰写,👉欢迎点击进入《VASP计算专题》探索更多深度教程
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