VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)是一种广泛应用于材料科学和凝聚态物理领域的第一性原理计算软件,广泛用于计算材料的电子结构、能量、电子性质等。
在材料科学中,静电势和功函数的计算是研究材料表面性质的重要手段。华算科技朱老师将详细探讨VASP中静电势和功函数的计算方法、后处理技巧以及相关工具的使用。
静电势(Electrostatic Potential)描述了材料内部或表面的电势分布,是计算功函数的基础。在VASP中,静电势通常通过LOCPOT文件输出,该文件包含所有用于绘制静电势的必要信息。
功函数(Work Function)是指将电子从固体表面逸出到真空所需的最小能量。其计算公式为:
其中,Evacuum 是真空能量,EFermi 是费米能级。
构建具有清晰表面方向的slab结构模型,确保真空层厚度足够(通常≥15 Å)。
在INCAR文件中设置相关参数,如LVTOT=.TRUE.以输出宏观平均静电势(LOCPOT文件)。
进行自洽场(SCF)计算,获得基态电子密度和费米能级。
使用工具(如p4vasp、VASPView)处理LOCPOT文件,提取真空能量和费米能级,计算功函数。
用于可视化和处理LOCPOT文件,支持静电势的可视化和功函数计算。
用于后处理LOCPOT文件,生成Distance-Potential数据,计算EVAC(真空能量)。
真空层过窄可能导致真空能量无法准确识别,建议真空层厚度≥15 Å。
在存在偶极场的情况下,使用IDIPOL=3和LDIPOL=.TRUE.进行偶极校正。
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