透射电镜TEM 测试常见问题解析

透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM作为材料科学领域中重要微观组织表征技术,其本质是TEM中的高能入射电子轰击超薄样品时,透射电子与样品原子的原子核、核外电子相互作用,电子的运动方向或能量发生改变(即电子散射),从而实现TEM的形貌、衍射、成分、价键、电子结构等表征手段。本文将介绍部分TEM测试过程中常见问题并进行相关解析:

透射电镜TEM 测试常见问题解析

图1 TEM高能电子束激发样品内部的各类信号

Q1

TEM与SEM的区别?

透射电镜TEM 测试常见问题解析

图2 SEM(表面形貌)与TEM(二维投影)成像对比

SEM利用聚焦电子束扫描样品表面,电子与样品相互作用产生多种信号(二次电子SE、背散射电子BSE、特征X射线等),通过探测器收集信号并转换为图像。SEM成像依靠激发样品的表面信号,反映样品的表面形貌,搭配能谱仪、EBSD探测器可反映样品的元素成分分布情况、微观结构等。

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图3 SEM成像示意图

TEM则利用高能电子束穿透超薄样品,电子与样品发生散射,通过电磁透镜聚焦形成透射电子图像。成像依赖穿透电子的散射差异,可反映样品内部晶体结构、原子排列、缺陷等。

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图4 TEM成像示意图

Q2

TEM的选区电子衍射(SAED)与XRD的区别是什么?

电子衍射与XRD的理论基础均为布拉格衍射方程,即:

2dsinθ=nλ

d:晶体中相邻两平行晶面间的距离,即晶面间距。

θ:X射线入射方向与晶面间的夹角,即布拉格角。

n:衍射级数,为正整数(n=1,2,3……)。

λ:入射波(SAED为电子束,XRD为波长固定的X射线)的波长。

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图5 布拉格衍射方程

SAED:在TEM中,电子束与特定晶格(hkl)发生相长干涉,根据不同样品的晶体状态(单晶、多晶与非晶),形成不同的衍射花样(衍射斑点,衍射环或衍射光晕)。通过衍射图案分析材料的晶体结构、取向和缺陷等微观信息。

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图6 标定单晶衍射斑确定样品的晶体结构与物相

XRD:入射X射线满足上述布拉格方程式,才会在特定方向产生衍射峰。通过测量衍射峰对应的θ角,结合已知的λ,就能计算晶面间距d,与标准物相的PDF卡片对比,可确定样品中包含的物相种类及各物相的相对含量。

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图7 XRD实验装置简图

SAED与XRD结果上的区别:有时做多晶衍射分析时,会发现衍射峰的可能会与XRD结果不同,存在特征峰缺失或增多及最强峰不一致的情况。这是因为SAED是选取一个微小区域(亚μm级)进行衍射分析,样品数量少,存在部分衍射峰缺失的情况;而XRD是选取一个更大的区域(一般是cm级)进行衍射分析,样品数量更多,与标准PDF卡片结果更加接近。

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图8 多晶衍射环与PDF卡片的关系

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