Q1：朱老师，这是我做的二维钙钛矿材料，沿（0 0 1）切面后加了个真空层。主要是想后面做缺陷，再吸附分子做缺陷钝化，这个切面步骤是有必要的吧？
A：①切面是聚焦表面 / 界面研究的前提；②切面 + 真空层是缺陷与吸附研究的必要条件。
Q2：朱老师，加双轴应变时是不是改完晶胞参数还要用isif 2再进行结构优化一下？
A：首先，先手动调整目标晶胞参数，再用 ISIF=2 进行结构优化，是确保应变状态稳定、后续计算可靠的关键步骤；
一、先明确：ISIF=2 在 VASP 中的核心功能 ——“固定晶胞，优化原子；
二、为什么必须做这一步？—— 双轴应变后原子位置的 “不稳定性”；
三、补充操作细节：让双轴应变 + ISIF=2 优化更严谨。
Q3：朱老师，带电体系HSE自洽计算的时候这个结构能量变化不断的震荡，收敛后能量也不对？
A：激发态普通dft算不对的；表面结构带电能量也不对的；不收敛的核心原因是HSE算法的复杂性与带电体系的电荷分布不均。
Q4：朱老师，slab模型测层厚时，这种图怎么得出来，是把每一种层厚都单独切出来算一次dos还是怎么操作？
A：步骤1：构建不同层厚、参数一致的 slab 模型;
步骤2：对每种层厚的 slab，单独进行自洽计算→DOS计算；
步骤3：整合DOS图，分析层厚 – DOS关联规律。
Q5：朱老师，有个问题就是我开启偶极修正和没开之前静电势图一样都有倾斜是为什么，这个有影响吗？
A：①可能是slab模型本身固有偶极导致的，而非周期性镜像偶极的干扰；无影响
②偶极修正参数设置不当，导致修正无效，倾斜仍含虚假成分；-有影响
③真空层厚度不足，偶极修正无法完全抵消镜像干扰；-有影响
Q6：朱老师，我这个结构优化已经算到一千多步了，能量早收敛了，原子力一直没达到标准EDIFFG=-0.01，我是不是可以适当将EDIFFG改宽一点，例如-0.02啊？
A：可以的，复杂体系结构优化不低于-0.05都可以；但需要检查受力最大的原子及其位置合理性；可以优先选择调整优化算法，帮助力收敛；注意放宽收敛标准后务必验证结构合理性。
