Q1：朱老师您好，我用vasp跑一个aimd，然后incar里温度是固定的，为什么导出来温度是变化的呢？
A：把poscar中的最后很多行0删了，一开始会有波动0.5ps左右就开始稳定了
Q2：朱老师，我进行石墨烯表面负载金属团簇的结构优化计算，请问那我需要固定其中的碳原子吗？
A：不用固定，全部都放开优化
Q3：朱老师您好，我在算aimd过程中，发现我的催化剂中的pd团簇跟随着吸附物一起移动，就是说我的催化剂整体有分裂的趋势，那这种情况下我可以固定我的催化剂去做aimd嘛？
A：可以的
Q4：朱老师您好 我算的Co3O4的DOS费米能级那没有明显的带隙宽度，调整NEDOS从1000到3000才出现图上这一点点的趋势，还有什么别的参数要调整吗？
文献里面就是这样的：
A：加u试试，过渡金属氧化物不加u有时候不对
Q5：朱老师，Type-II异质结电子和空穴沿1和2路径转移，怎么解释啊？
A：导带电子走1能量降低，价带空穴走2能量也降低，两者分离
Q6：朱老师，对于超宽禁带半导体AlN来说（带隙约6eV），ISMEAR和SIGMA设置多少合适呢？0和-5哪个更合适呢？
A：半导体用-5
Q7：朱老师，我想通过这个公式计算的形成能，材料元素组成为C和Cu，我理解的是用材料总能-C的数量乘C的化学势-Cu的数量乘Cu的化学势，C和Cu的化学势选择0K下DFT计算的电子能量（选择石墨烯和Cu晶体为稳定相除以数量），这样可以吗? 最后算形成能还需要除以总原子数吗？
A：可以的，不用除
Q8：朱老师，请问功函数算出来画图是这个样子的，Evac应该取1处的数值还是2处的数值呢？
A：看你用哪一段去研究，用右边就1左边就2
Q9：朱老师，怎样操作可以让晶胞显示完整呀？
A：把z下边界改成-0.1上面0.5
Q10：朱老师，怎么能把多加的H、O验式删掉呢？
A：在POTCAR中找到对应的，选中删除就行，或者重新建一个POTCAR，最好重新构建，删除比较麻烦
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