VASP计算吸附能
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吸附能越负越好吗？
引言 吸附能越负，说明吸附态越稳定，但催化反应不只是把中间体牢牢按在表面上。吸附太弱，中间体站不住；吸附太强，位点被占住，下一步加氢、断键或产物脱附都可能变慢。好的催化位点通常不是…
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自旋轨道耦合要不要开？
引言 普通 VASP 计算里，很多人会默认不开 SOC。对轻元素、非磁性、能级分裂不敏感的体系，这通常可以作为合理近似。但一旦材料含有 Pt、Ir、Au、W、Bi、Pb、Te 等重…
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VASP计算吸附能时气相分子盒子多大才合适？
引言 吸附能和反应自由能里常有一个被忽略的参照：孤立气相分子。O₂、H₂O、CO₂ 和 NH₃ 看起来只是小分子，真正进入 VASP 时却会牵涉盒子尺寸、K 点、自旋态、偶极相互作…
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VASP吸附能到底取TOTEN还是E0？
引言 VASP 输出里同时出现 free energy TOTEN、energy without entropy E0 和 entropy T*S，吸附能结果常在这些量之间发生混用…
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vdW修正会怎样改变吸附能？
引言 分子吸附的 Eads 同时受几何高度、表面极化、分子取向和色散相互作用影响。vdW 修正改变的不只是吸附能大小，还可能改变吸附高度、位点排序和后续反应端点。对芳香分子、卤代分…
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显式水、氢键和偶极场怎样影响 *COOH、*OOH？
引言 很多吸附计算先在真空 slab 上比较 *COOH 或 *OOH，然后发现加一两个 H2O 后自由能顺序变了。这个变化不一定说明原来的位点算错了，而是说明这两个中间体本来就很…
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表面覆盖度是什么？
引言 吸附能计算最常见的起点，是在 slab 上放一个 *H、*OH 或 *CO。这个模型很清楚，但它只代表低覆盖度极限。真实电极表面往往同时有多个吸附物，彼此之间会排斥、吸引、抢…
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吸附自由能计算中过渡金属位点的自旋态多解性：物理本质与路径判定
过渡金属位点做吸附计算时，经常会遇到一个让人犹豫的问题：同一个 *OH、*O 或 *H 构型，用不同初始磁矩出发，最后可能得到不同总能、不同局域磁矩，甚至不同键长。此时不能简单挑最…
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功函数和吸附能有什么关系？
引言 表面电子更容易逸出，是不是就更容易给吸附物电子，吸附也更强？这个推理有时有用，但很容易被写过头。功函数 Φ 反映的是电子从费米能级移到真空能级的能量代价，吸附能 Eads 还…
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VASP如何计算 CO₂RR *COOH/*CO 吸附能？
引言 CO2RR 产 CO 路径看似只多了两个吸附态：*COOH 和 *CO。真正动手算时，麻烦通常出在三个地方：初始构型没有枚举，带电和自旋没有测试，气相参照前后不统一。*COO…
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VASP计算吸附能与吸附构型常见问题与解决方案
VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种广泛应用于材料科学和化学领域的第一性原理计算软件，能够进行电子结构、动力学和量子力学计算。在…
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VASP计算吸附能与吸附构型
VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种广泛应用于材料科学和化学领域的第一性原理计算软件，能够进行电子结构、能量、动力学、吸附能等计…
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VASP计算吸附能与吸附构型详细步骤
吸附能可以用来衡量表面对某种分子或原子吸附难易程度，对后续的催化反应计算有着重要指导意义。华算科技朱老师将详细介绍吸附能与吸附构型计算步骤和数据处理方法。 结构优化 以VASP软件…
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VASP计算吸附能与吸附构型高级技巧
VASP（Vienna ab initio Simulation Package）是一种广泛应用于材料科学和化学领域的第一性原理计算软件，尤其在吸附能计算、电子结构计算和动力学模拟…
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VASP计算吸附能与吸附构型数据处理技巧
VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种广泛应用于材料科学和化学领域的第一性原理计算软件，尤其在计算吸附能、电子结构、动力学行为等方…
