第一性原理计算
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MgO半导体性质、能带结构、态密度、缺陷性质、p-n结!
氧化镁(MgO)是一种具有广泛研究价值的多功能金属氧化物半导体材料,其在半导体、超导薄膜、光电子器件等领域具有重要应用。 本文将从MgO的半导体性质、能带结构、态密度、缺陷性质、p…
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北航周苇AM:MXene如何抑制Na─Se电池的穿梭效应
Na─Se电池具有天然丰富的钠和优越的Se动力学特性,但仍面临可溶性中间体的穿梭效应问题。 近日,北京航空航天大学周苇等人在材料研究顶级期刊Adv. Mater.上发表了题为”…
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第一性原理计算到底准确吗?
在科研实践中,基于量子力学的第一性原理计算以其从头出发、不依赖实验参数的优势崭露头角,却也常因方法近似和计算成本而遭受质疑。 人们不禁要问:在面对复杂材料体系与多尺度过程时,它能否…
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DFT计算还是MD模拟?——两种主流计算方法的正确应用方式
本文系统比较了第一性原理计算(以密度泛函理论为代表)与分子动力学模拟在材料研究中的理论基础、应用特征与适用边界。 第一性原理计算以电子结构为核心,擅长于吸附行为、反应路径与过渡态分…
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华中科技大学王春栋/香港城市大学王昕/石河子大学薛新英,新发Angew
(△点击图片查看详情) 通过调节活性位点结构并克服其平面共轭构型的局限性来增强ORR性能是一个重大挑战,尚未得到很好解决。 近日,华中科技大学王春栋教授团队联合香港城市大学王昕教授…