说明:本文华算科技介绍了拉曼光谱的基本原理、核心参数、应用。文中重点讲解了拉曼位移、拉曼散射的选律与强度,以及拉曼图谱的峰位、峰强、峰宽及其物理意义,同时对比了拉曼光谱与红外吸收光谱的区别,展示了拉曼光谱在物相鉴定、应力分析、结晶度和缺陷密度量化等方面的应用。
什么是拉曼光谱?
拉曼光谱的本质是“拉曼散射效应”,当单色光照射到样品上时,光子与样品分子发生非弹性散射,导致光子能量发生转移,这种能量转移与分子的振动/转动能级相关,通过检测散射光的频率变化,就能获得分子的振动信息。
其核心规律可用两个关键公式描述,这是解读拉曼图谱的基础。

DOI:10.1021/acsbiomaterials.8b00258。
拉曼光谱的核心参数是拉曼位移Δν,即散射光频率νs与入射光频率ν0的差值,公式为:

其中,各参数意义:ν0为入射光频率,如532 nm激光的频率约为5.64×1014Hz;νs为散射光频率;Δν为拉曼位移,单位:cm-1,常用波数表示,波数=1/波长,1 cm-1对应波长107 nm。
拉曼位移与入射光频率无关,仅由样品分子的振动模式决定,不同的化学键、分子构型对应特定的拉曼位移,这是拉曼光谱进行物相鉴定的核心依据。例如:C-C单键的拉曼位移约为1000 cm-1,C=C双键约为1600 cm-1,C≡C三键约为2200 cm-1。

DOI:10.1021/acsnano.8b04125。
并非所有分子振动都能产生拉曼散射,只有满足拉曼选律的振动模式才具有拉曼活性。拉曼选律的核心是:分子振动时,其极化率α发生变化Δα≠0。拉曼峰的强度I与极化率变化的平方成正比,公式为:

其中,I0为入射光强度。
该式说明,极化率变化越大,拉曼峰强度越高。例如:对称振动,如CO2分子的对称伸缩振动的极化率变化大,拉曼峰强度高;反对称振动的极化率变化小,拉曼峰强度低,甚至无拉曼活性。这也是为什么不同振动模式的拉曼峰亮度存在差异。

DOI:10.1021/nn403351z。
拉曼散射与红外吸收的区别
拉曼光谱基于光子与分子的非弹性散射,依赖极化率变化,适用于分析对称振动、非极性键;红外光谱基于分子对红外光的吸收,依赖偶极矩变化,适用于分析反对称振动、极性键。
两者互补,结合使用可全面分析分子的振动模式。例如:CO2分子的对称伸缩振动有拉曼活性、无红外活性,反对称伸缩振动有红外活性、无拉曼活性,通过拉曼+红外光谱可完整表征其振动模式。

DOI:10.1021/acsnano.5b07388。
如何分析拉曼图谱?
拉曼图谱的横坐标为拉曼位移cm-1,纵坐标为峰强度,每一个拉曼峰都包含“峰位、峰强、峰宽”三个关键参数,不同参数对应不同的样品信息,这是图谱解读的核心。
峰位是拉曼图谱最核心的参数,不同物质的分子振动模式不同,拉曼位移也不同,如同“指纹”一样具有唯一性,通过对比样品拉曼峰的位移与标准拉曼光谱数据库,即可确定样品的物相。
每种物质都有特征拉曼峰位,例如:金刚石的特征拉曼峰在1332 cm-1,石墨的特征拉曼峰在1580 cm-1(G峰)和1350 cm-1(D峰);峰位偏离标准值,通常代表样品存在应力、化学键变化或组分掺杂。例如:石墨烯的G峰若从1580 cm-1蓝移,说明存在压应力;红移,说明存在拉应力。

DOI:10.1021/acsami.7b09197。
应力导致的峰位偏移可通过以下公式定量估算:

其中,K为应力系数,与材料种类相关,如石墨烯的K≈-5.0 cm-1/GPa,σ为应力,压应力为正,拉应力为负。例如:石墨烯G峰红移5 cm-1,可计算得拉应力σ=1 GPa。

DOI:10.1021/acsphotonics.6b00213。
拉曼峰的强度反映了对应振动模式的活性与样品含量,峰强越高,说明该振动模式的极化率变化越大,或对应物质的含量越高。此外,峰强比还可用于量化样品的结晶度、缺陷密度等。
定量分析含量:在混合样品中,某物质的特征拉曼峰强度与其含量成正比。例如:混合样品中石墨与金刚石的含量比,可通过两者特征峰的强度比计算;

DOI:10.1021/acsphotonics.4c00525。
结晶度判断:结晶度越高,分子排列越有序,特征拉曼峰强度越高、峰形越尖锐;非晶态样品的拉曼峰强度低、峰形宽。例如:结晶态SiO₂的拉曼峰尖锐且强度高,非晶态SiO₂的拉曼峰宽且强度低;
缺陷密度量化:对于碳材料,常用D峰,缺陷峰,1350 cm-1与G峰,石墨化峰,1580 cm-1的强度比(ID/IG)量化缺陷密度——ID/IG值越大,缺陷密度越高。其关系可通过以下经验公式描述:

其中,C为常数,约4.4,La为石墨微晶尺寸。例如:某石墨烯的ID/IG=0.5,可计算得La=8.8 nm;若ID/IG=1.0,La=4.4 nm,缺陷密度显著升高。

DOI:10.1021/jf3053669。
拉曼峰的宽度,通常用半高宽FWHM表示,即峰高一半处的宽度,主要反映样品的晶粒尺寸、晶格畸变与弛豫效应,峰宽越窄,晶粒尺寸越大、晶格越完整;峰宽越宽,晶粒尺寸越小、晶格畸变越严重。
估算晶粒尺寸:对于纳米晶材料,可通过谢乐公式估算平均晶粒尺寸,公式为:

其中,K为谢乐常数,通常取0.89,λ为入射光波长,β为拉曼峰的半高宽,θ为衍射角。例如:纳米TiO₂的特征拉曼峰半高宽为0.02,入射光波长532 nm,可计算得平均晶粒尺寸D≈22 nm;
判断晶格畸变:晶格畸变会导致分子振动频率分布范围扩大,拉曼峰宽增加。例如掺杂后的半导体材料,因晶格畸变,特征拉曼峰宽比纯TiO2显著增加;
弛豫效应:在高分子材料中,拉曼峰宽还反映分子链的弛豫程度,分子链运动越自由,弛豫效应越明显,峰宽越宽。例如:玻璃态聚合物的拉曼峰宽比熔融态聚合物窄,因为玻璃态分子链运动受限。

DOI:10.1021/acs.nanolett.2c01250。
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