在上一章《第一章：POSCAR晶体结构文件详解 | 2026新版VASP基础教程》中，我们详细介绍了VASP执行流程。VASP输入文件中的 POSCAR记录了计算所需要的模型结构参数。本章将正式介绍POSCAR，从晶格常数、晶胞基矢量、原子坐标角度来计算VASP计算模型。
MgO（氧化镁）晶体通常采用岩盐结构（NaCl型）。该结构属于立方晶系，空间群为Fm-3m（No. 225）。其晶格参数通常取自实验测量值，常见的晶格常数为a ≈ 4.211 Å。
MgO是典型的离子晶体，晶体中镁离子（Mg2+）和氧离子（O2-）交替占据面心立方格点。该结构具有高度的对称性和稳定性，且在室温下极易形成完美的晶面。
构建模型的关键是获取准确的晶格常数和原子坐标。通常可以从以下来源获取：
1、Materials Project：该数据库提供了实验和理论优化后的晶体结构，MgO的入口ID通常为mp-1265。
2、文献来源：如Magnesi-MgO晶体的实验报告或晶体学手册。
步骤一：新建项目
打开Materials Studio，新建一个3D Atomistic Document，并命名为MgO。
步骤二：定义晶体参数
使用“Build Crystal”工具，输入以下参数：
空间群：Fm-3m
晶格常数：a = b = c = 4.211 Å
步骤三：添加原子
系统会自动生成空晶胞。此时需要添加原子：
Mg原子：坐标 (0, 0, 0)
O原子：坐标 (0.5, 0.5, 0.5)
注意：由于空间群的对称性，软件会自动生成剩余的原子。
步骤四：优化与保存
构建完成后，可进行结构优化（Geometry Optimization），以消除任何可能的残余应力。最后保存为CIF文件或直接导出为POSCAR文件（VASP格式）。
MoS2（二硫化钼）是一种典型的层状材料。其最常见的多晶型为2H-MoS2，属于六方晶系，空间群为P63/mmc（No. 194）。单层MoS2由一个钼原子层夹在两个硫原子层之间（S-Mo-S），形成类似“砂砾”结构。
该材料的层与层之间主要通过范德华力相互作用，使其容易被剥离成单层。
单层MoS2的晶格常数主要包括：
a = b：约为 3.16 Å – 3.19 Å
层间距（c轴方向）：约为 6.5 Å（单层厚度）
单层MoS2的Mo-S键长约为 2.41 Å，S-Mo-S键角约为 80.5°。
步骤一：新建项目
打开Materials Studio，新建一个3D Atomistic Document，并命名为MoS2。
步骤二：定义晶体参数
使用“Build Crystal”工具，输入以下参数：
空间群：P63/mmc
晶格常数：a = b = 3.16 Å，c = 12.3 Å（为了避免层间相互作用，通常将c轴设置为双层间距的两倍）
步骤三：添加原子
Mo原子：坐标 (0, 0, 0)
S原子：坐标 (1/3, 2/3, 0.25) 和 (1/3, 2/3, 0.75)
系统会根据对称性生成完整的原胞。
步骤四：单层模型提取
如果需要构建单层MoS2（用于2D材料计算），需要在VESTA等可视化软件中将c轴截断为单层厚度（约6.5 Å），并在z方向添加足够的真空层（约15 Å），以消除周期性边界条件下的层间相互作用。
步骤五：优化与保存
与MgO类似，进行结构优化并保存。
MgO模型构建：介绍了晶格常数、原子坐标、建模步骤等
MoS2模型构建：介绍了晶格常数、原子坐标、建模步骤等
下一章将正式引入本次教程的核心—VASP赝势选择原则。我们将从赝势的基础类型与选择、元素选择注意事项，计算精度与效率的权衡方面详细介绍VASP赝势选择原则，以及他们在VASP计算中的应用，敬请期待！
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