本文为华算科技撰写的《VASP实用教程》第8篇，全系列约60篇，将在近期陆续更新。
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VASP理论计算都是以相应的模型为基础进行计算的，因此合理建立模型会起到事半功倍的作用。一般三维晶体结构可以将单晶衍射测试得到的数据模型为基础，如果需要进行掺杂或原子替换，只需要通过建模软件手动进行调整即可。
对于一些二维、一维结构则需要手动建立，今天的教程就来和大家一起来分享一下如何建立模型。
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我们建模需要用到的软件是Materials Studio，然后用VESTA软件将cif文件转化为POSCAR文件。对于二维材料的典型代表的石墨烯，网上有很多建模教程，我们在这里不做过多介绍，本教程主要讲解一下如何建立真空层。
我们在做表面模拟时，比如模拟分子吸附到金属表面，需要建立真空层，建立真空层时需要考虑几个方面的问题，首先是真空层的厚度，还有衬底原子的层数。真空层的厚度不宜过小，过小会导致层与层之间产生干扰，过大则会影响计算速度，笔者在计算的时候一般选用20Å。
衬底层数主要看说明什么问题，如果模拟的模型衬底对吸附层原子影响很大，则需要选择较多层数的原子，一般选择3层原子，然后将最下面的原子层固定，模拟体相原子，然后将最上面两层原子放开，这主要考虑自己的计算资源，如果资源充足，可以选择更多层原子，有些文献中选择7层原子，固定3层放开4层进行模拟。
建立真空层，首先选择衬底种类，我们选择金为例进行讲解。首先导入金的晶体结构，依次点击file -> import -> structures -> metals -> pure-metals-> Au，即可导入金的晶体结构。
导入晶体结构后，一般需要先对这个晶体结构进行结构优化，具体的我们在计算实例里面讲解，在这里我们主要讲解建立真空层，然后下一步进行切面。
依次点击Build -> Surfaces -> Cleave Surface，在Thickness处设置衬底原子层数。在Cleaveplane (h k l)处设置需要切的面，我们这里需要切(111)晶面。
在Options栏选择Resetorientation and origin after cleave，然后单击Cleave，就会显示切好的晶面，如下图所示。
接下来需要就要建立真空层，以此点选Build -> Crystals -> Build Vacuum Slab Crystal来建立真空层。
在Vacuum orientation处设置真空层方向，Vacuum thickness处设置真空层厚度，然后单击Build即可建立真空层。
建立真空层后，可以根据自己的体系的晶胞参数来设置衬底的晶格，依次点选Build -> Symmetry -> Redefine Lattice，然后通过设置A、B和C对应的数值来得到自己需要的晶胞参数。
然后就需要将吸附分子放到所切晶面上，一般吸附分子与晶面距离大约为3-5Å为宜，具体细节在后面的计算实例处进行讲解。
至此，建立真空层的教程就讲解完毕，大家多加练习即可很快掌握，同时建议大家多看看网上的教程，看看不同的人建立模型时的一些习惯，集各家所长，形成自己的风格。
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