差分电荷密度图是什么？
差分电荷密度图是一种通过计算材料体系的总电荷密度与其组成原子在孤立状态下的电荷密度叠加之差，以图形化方式展示电荷重新分布情况的分析工具。其核心定义可表述为：
其中，
表示材料整体的自洽电荷密度（通过密度泛函理论等第一性原理方法计算得到[6]），而
则是将各组成原子单独存在时的电荷密度按其在体系中的实际位置进行叠加[4]。两者的差值
直观反映了原子在形成化学键或界面相互作用时的电荷转移行为。
差分电荷密度图怎么看？
通常情况下黄色代表电子聚集区域，青色/绿色代表电子耗散区域，但具体含义需结合文献判断。
常见文献
《Regulation and control of Schottky barrier in graphene/MoSe2 heterojunction by asymmetric oxygen doping》
该研究通过第一性原理计算系统揭示了非对称氧掺杂对石墨烯/MoSe₂异质结肖特基势垒的调控机制。研究发现，石墨烯与MoSe₂可通过范德华力形成稳定异质结，初始呈现n型肖特基接触（势垒高度0.558 eV）。通过控制氧掺杂位点（界面内/外）和浓度（11%-100%），可实现接触类型与势垒高度的精准调控：界面内掺杂浓度超过56%时，肖特基接触转变为欧姆接触；而界面外掺杂则能将势垒高度降至0.112 eV，同时保持n型接触特性。这一现象的物理本质源于氧掺杂诱导的界面电荷再分布——差分电荷密度图直观揭示了电子从石墨烯向MoSe₂的定向转移，形成由石墨烯指向MoSe₂的内建电场，导致费米能级向MoSe₂导带底偏移。具体而言，三维电荷密度差分图显示界面处MoSe₂表面出现电子积累（蓝色/粉色区域），而石墨烯表面呈现电子耗尽（黄色区域），平面平均电荷密度曲线（Δρ/10⁻⁴ e·Å⁻¹）进一步量化了这种电荷转移幅度，其峰值位置与界面间距密切相关。这种电荷重排不仅解释了势垒降低的机理，还验证了氧掺杂增强界面耦合的作用，为设计低接触电阻的MoSe₂基纳米场效应晶体管提供了关键理论依据。
《Tracking the correlation between spintronic structure and oxygen evolution reaction mechanism of cobalt-ruthenium-based electrocatalyst》
本文通过实验结合理论计算，深入研究了钴-钌基电催化剂的自旋电子结构与氧进化反应（OER）机制的关系。研究发现，掺杂钌的钴-锡氧化物（A-RSCOH）因Ru和Co的量子自旋相互作用，优化了自旋电子结构，促进了电荷转移和中间体演变，生成了高自旋密度的活性物种，提升了OER性能。差分电荷密度图直观展示了A-RSCOH中Co-O键共价性的增强和电子离域化程度的增加，揭示了Ru掺杂提高了催化剂的电子转移能力和自旋密度，为OER过程中O-O键的形成提供了有利条件，并结合DFT计算提出了A-RSCOH遵循的双金属位点机制（DMSM），表明晶格氧参与了OER过程。这些发现为设计高效OER电催化剂提供了理论依据。