Q1：朱老师，我想请教您一个关于空位带电荷的计算问题。
目前利用VASP计算空位带有电荷的情况下，出现能量差值过大，具体说就是中性空位能量数值约为-160eV，带有一个电荷和两个电荷的空位体系能量分别为-230eV,-340ev左右，如果将这个结果带入下面的图2公式中得到的图形和图1相差的过于悬殊了，
下面是计算空位带电荷的增加的INCAR参数设置，（我的计算体系为二维材料，想模仿图中进行一个计算学习）
# Charged defect settings
NELECT = 353 # Adjust according to the charge state
LDIPOL = .TRUE.
IDIPOL = 3
DIPOL = 0.5 0.5 0.5
A：dipol标签可以不要，计算有什么问题，比如没有收敛
Q2：朱老师，计算COHP时，我算了两次，这两次写入的总的原子对数量不同，但是为什么两次算出来的同一个原子对的结果不同呢？
A：不会的，vasp如果结果是一样的话，cohp结果不会变化
Q3：朱老师，请问VASP优化一层MoS2，报错，不能执行？
A：加一个symprec=1e-6，把对称关了，isym -1
Q4：朱老师，固定下面的材料的原子，比如晶体材料要固定下面几层的原子？
A：晶体都要固定，低维材料不用固定
Q5：朱老师，请问我这个二维材料是不是不能设置 ISIF=3 呀？您看我的INCAR参数还需要调整吗？
A：这个是1维，需要用3，另外打开自旋
Q6：朱老师，ISPIN=2是吗，那MAGMON =。。也要查文献写上是吗？
A：查不到的话，就先不写了
Q7：朱老师，像这种缺陷，怎么做差分电荷？
A：有原子的电荷减去没有原子和原子的电荷
Q8：朱老师，我需要得到中间一个单斜晶胞 是将外面多余的原子删除吗 删除之后 如何将大的这个晶胞变成单斜呢？
A：如果这样就只能删了原子改晶格
Q9：朱老师，我这样构建一个晶胞后，结构优化就乱了，原子到处跑，这个有什么方法呢？或者说我构建晶胞出问题了？
A：可能是截断导致的悬挂键使结构不稳定，就不能这么简单的截断
Q10：朱老师，想看氮化碳材料掺杂后是否容易形成缺陷，可以通过 cohesion energy吗？ 另外每个单独元素的能量 就是把单个原子放在盒子里优化吗？
A：是否容易形成某种缺陷可以计算缺陷形成能。原子能量可以这样计算
本次答疑由拥有15年VASP实战经验的华算科技朱老师（同济大学本博、深圳海外高层次人才）提供。👉点击进入《VASP | 理论计算常见问题解答专题》，快速查找更多计算解决方案。
