说明:本文华算科技主要介绍平面波截断能的定义、基组规模与计算代价、波函数和电荷密度截断的区别,以及能量和应力对截断能的响应。
平面波截断能的定义是什么?
周期晶体中的电子轨道随空间位置连续变化,计算机需要用有限个数来表示它。平面波方法选择一组形如 exp[iq·r] 的函数作为基组,每个函数具有确定的波矢 q;轨道由多个平面波叠加而成,待求的数值是各项的展开系数。基函数的波长越短,叠加后能够描述的空间变化就越细。
按照布洛赫定理,轨道可写为 ψnk(r) = Ω−1/2ΣG cnk(G) exp[i(k+G)·r]。其中 n 是能带编号,k 是布洛赫波矢,G 是倒格矢,Ω 是晶胞体积。截断能 Ecut 限定每个基函数的动能,只保留满足 ℏ2|k+G|2/(2me) ≤ Ecut 的项;me 为电子质量,ℏ 为约化普朗克常数。

允许的波矢在 q=k+G 空间构成一个球,半径为 qmax = √(2meEcut)/ℏ;若用 G 作坐标,球心位于 −k。图1a 的球形区域就是这种倒空间筛选范围。其余面板表示计算傅里叶变换时沿各方向处理的数据区域,球体、圆柱和长方体均为数值表示,不能据此识别电子云形状。
Ecut 提高后,最短基函数波长 λmin=2π/qmax 随之减小。把截断能提高到四倍,最短波长缩短到一半,这里改变的是轨道展开的空间分辨尺度。500 eV 的截断能没有赋予每个电子 500 eV 的动能,也没有把 500 eV 以上的 Kohn–Sham 能级逐个删除。
在倒空间格点足够密时,逐 k 点的基函数数量近似为 NPW≈Ωqmax3/(6π2),即NPW 随 ΩEcut3/2 增长。截断能翻倍,基函数约增至 2.83 倍;固定截断能而增加 slab 的真空体积,也会增加基函数。内存、FFT 运算和轨道正交化的开销各有标度,运行时间还受能带数与并行通信影响。
赝势怎样改变所需截断能?
原子核附近的全电子波函数可能含有节点和快速振荡,用平面波展开时会产生较多高波矢分量。赝势方法在芯区构造平滑的辅助波函数,降低表示核区细节所需的空间频率,使有限截断能的计算成为可行方法。PAW 则由平滑辅助波函数配合原子球内的局域修正重建全电子信息。
赝波函数的平滑程度与芯半径、价电子组态和投影子构造有关。芯半径较小、显式保留半芯态或局域轨道变化较快时,高波矢分量通常衰减得较慢。“软”“硬”描述所需基组规模;在比较两套赝势的截断能需求时,材料、目标量和容许误差都须相同。

CuPd 的左侧曲线比较了模守恒赝势 NCPP 与超软赝势 USPP 的能量变化。约 95 Ry 附近,NCPP 曲线的 ΔE 高于 USPP;截断能升至 125—135 Ry 时,图中能量变化已大幅减小。这组差异只针对图中使用的数据集与 CuPd 模型,更换赝势文件或结构会改变曲线,收敛后的两套赝势也可能保留不同的模型误差。
中间面板改变 k 点网格,右侧面板改变求取 Hubbard U 的响应网格,它们与左侧截断能具有不同的控制对象。k 点采样用于布里渊区积分;Ecut 则限定给定 k 点处有多少 G 分量参加展开。增加 G 分量不会补齐稀疏 k 网格漏采的费米面细节,收紧电子自洽阈值也只会把当前有限基组中的方程解得更充分。
数值大小还受单位影响:1 Ry≈13.6057 eV,1 Ha=2 Ry。VASP 的 ENCUT 以 eV 表示,Quantum ESPRESSO 的波函数截断以 Ry 表示。比较文献中的 60 与 500 时,应保留单位、截断对象和赝势定义;二者单独的数字大小没有可比的物理含义。
波函数与电荷密度为什么有不同的截断能?
电子密度由占据轨道的模平方求和得到。将两项平面波相乘会出现波矢差 G−G′,即使每个轨道只包含 qmax 以内的分量,密度的傅里叶分量也可延伸到 2qmax。用动能单位标记同一波矢范围时,平方关系给出四倍的能量尺度。
图3 的圆1、圆2分别表示波函数与平滑密度所需的范围。局域势与波函数相乘还可产生圆3中的高频分量;FFT 网格过小会产生混叠误差,超出可表示范围的频率折回到网格内。图中的重叠圆描述这种数值折回,恰当的网格使其不污染参与波函数求解的内圈。

模守恒赝势的平滑密度通常采用四倍波函数截断作为基准;USPP 与 PAW 的增广电荷还包含原子球内的局域变化,网格需求受数据集构造影响。Quantum ESPRESSO 将波函数截断与密度、势的截断分别定义,超软赝势常用较大的密度截断比,具体数值由密度、原子力和应力的变化检验。
电荷密度截断控制的是密度与势的表示,提高它不会为轨道补回已舍弃的 G 分量;反过来,扩大轨道基组而保留过粗的密度网格,仍会使势和受力含有离散误差。涉及真空区、强局域电荷或梯度修正泛函时,这两类截断应分别与所计算的物理量比较。
截断能怎样影响总能、晶胞和应力?
固定晶胞、电子数、赝势与泛函后,提高截断能扩展了轨道可采用的函数空间。在嵌套基组且变分求解充分的理想条件下,最低总能随基组扩大而不升高;程序中的能量修正、FFT 网格改变及自洽残差可能改变实际输出曲线。相邻两次总能变化很小,还须检查后续数个截断能处是否持续趋于同一结果。
晶胞体积或形状变化会改变倒格矢,有限截断球中的格点可能逐批加入或退出。能量随应变的导数由此包含基组不完备引起的应力误差,通常称为 Pulay 应力。它会使零应力结构的平衡体积偏移,即使单个固定晶胞上的总能变化已经较小。

71 种元素固体的 GPAW/PBE 测试中,黑色圆点给出应力张量迹误差的平均值,红色方块给出最大值。纵轴采用对数刻度;约 1000 eV 时,平均值已低于绿色参考线,最大值仍在其上方。平均误差与最差材料之间存在明显差距,图内参考线及对应截断能只适用于这组测试条件。
吸附能或形成能来自若干总能相减,共同的基组误差可能抵消,不同成分、体积与成键环境中的误差也可能残留。反应能量差须使用一致的计算设置,并直接比较目标能量差随截断能的变化。晶胞优化则比较应力与平衡体积,原子位置优化比较受力;这几种物理量采用各自的误差尺度。
交换关联近似、自旋态和冻结芯定义在单纯提高截断能时保持原样。若 PBE 对某半导体的带隙已有系统偏差,扩大平面波基组只能使数值接近同一 PBE 模型的基组极限;核区重叠明显的高压结构,还须检验冻结芯近似与所选价电子组态。
