EIS图

• 电化学​​

  EIS图的圆弧经常被“压扁”成因与等效电路参数解析

  说明：本文华算科技主要介绍Nyquist图上压扁圆弧的来源，包括理想半圆的前提、常相位元件CPE、分布式弛豫时间、粗糙界面和等效电路拟合中的参数含义。 理想Nyquist半圆从哪里…

  华算科技

  19小时前

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