能带结构
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离子电导与电子电导对比:从迁移机理到材料应用的全面解析
说明:本文华算科技介绍了离子电导和电子电导的机理、特点及其应用。离子电导依赖于电解质中的离子迁移,而电子电导则涉及金属或半导体中的自由电子运动。文章分析了影响这两种电导的因素,如离…
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半导体物理基础:能带、载流子与PN结
说明:本文华算科技系统介绍了半导体能带结构、载流子类型及杂质掺杂原理。读者可掌握PN型半导体形成机制、费米能级变化规律及载流子浓度计算方法,为理解半导体器件工作原理和材料设计奠定理…
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半导体掺杂模型系统梳理:原理、物理特性影响及器件设计应用
半导体掺杂模型是现代半导体物理和器件设计中的核心内容之一,它通过引入杂质原子来改变半导体材料的电子结构和导电性能,从而实现对半导体材料特性的精确控制。掺杂不仅影响半导体的能带结构、…
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E空间与波矢函数K空间
文章华算科技系统梳理了凝聚态物理与实验光谱中两大核心表征维度——“E空间”(能量维度)与“k空间”(波矢维度)——各自的物理内涵、适用范围及相互转换机制:阐明波矢k作为动量与空间频…
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金属 – 半导体界面接触:欧姆接触与肖特基接触的本质区别
说明:本文华算科技深入探讨了欧姆接触与肖特基接触的定义、内部机制、本质区别,以及在金属-半导体界面中的特性与应用。详细分析了它们的形成原理、能带结构变化、电流 – 电压…
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如何分析能带?基本理论、表征方法到调控策略!
说明:文章华算科技系统梳理了能带的形成、定义及三大核心公式,逐一展示紫外可见漫反射光谱、Mott-Schottky、XPS价带谱、PL与DFT、COHP等实验-计算手段,最后汇总了…
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能带:定义、核心要素与材料电 / 光 / 热电性质的关联
说明:本文华算科技主要讲解材料的能带结构,理清其定义(E-k关系)、核心要素(价带、导带、禁带、费米能级)及理论基础(薛定谔方程、布洛赫定理)与模型,包含其对材料电学/光学/热电性…
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分子轨道导论:成键与反键轨道的本质、作用及表征计算
说明:本文华算科技章系统梳理了成键轨道与反键轨道的定义及σ/π、σ*/π*分类,总结其对如何影响材料性能,并给出键级公式、单双三键本质等应用,最后本文逐一列举PES、IR、XPS、…
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电子结构调控:定义、d带中心理论与应用
说明:本文华算科技主要介绍了电催化中的电子结构调控。首先定义了电子结构调控,包括能带结构、态密度等关键参数,并阐述了d带中心理论。接着强调其重要性,如优化吸附能、降低活化能、提高电…
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紫外可见分光光度计的基本内容及应用
紫外可见分光光度计作为一类至关重要的分析仪器,基于紫外可见分光光度法原理,利用物质分子对紫外可见光谱区的辐射吸收来进行定性定量分析,其应用范围极为广泛,横跨了物理学、化学、生物学、…
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紫外光电子能谱(UPS)的分析应用
紫外光电子能谱(UPS)是一种通过使用紫外光激发样品表面以释放光电子的表面分析技术。这些被释放的光电子的动能和数量构成了能谱,反映了材料的电子结构。 UPS 所使用的紫外辐射属…
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极性解析:从电荷不对称性到催化性能调控的量化方法与实践指南
说明:本文华算科技系统阐释了“极性”的定义、分类、量化方法及其物理本质,揭示其如何由电荷分布不对称性产生并影响材料与催化性能。读者可深入理解极性在调控反应路径、电子转移及材料功能中…
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VASP教程 | VASP—态密度计算!
VASP非自洽计算原理 非自洽计算(Non-self-consistent Calculation)是在自洽计算的基础上进行的进一步计算,其目的是在已有的自洽波函数和电荷密度的基础…
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VASP教程 | VASP态密度计算技巧?
VASP非自洽计算原理 非自洽计算(Non-self-consistent Calculation)是在自洽计算的基础上进行的进一步计算,其目的是在已有的自洽波函数和电荷密度的基础…
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什么是带隙?从物理定义、分类到器件应用,及 DFT 第一性原理的预测方法
说明:本文华算科技旨在系统性地阐述带隙的物理定义、主要分类方式、在现代电子与光电子器件中的关键作用,并详细探讨如何利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法来精确预测和分析…
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什么是掺杂?定义、机制与多领域应用解析
本文华算科技旨在系统性地阐述“掺杂”这一关键技术。文章将首先定义掺杂及其核心机制,随后探讨其在电子、能源和生物医学等前沿领域的广泛应用,最后深入分析掺杂为何是现代科技不可或缺的基石…
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【拉曼光谱技术】石墨烯拉曼光谱详解
石墨烯拉曼光谱详解 拉曼光谱技术 石墨烯,一种由单层碳原子紧密排列形成的二维晶体材料,自2004年被科学家首次成功分离以来,便引起了全球范围内的广泛关注。石墨烯以其独特的结…
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什么是石墨炔?基于 DFT/GCMC 等方法的缺陷、吸附机制研究,兼论计算建模与理论落地实践
说明:本文华算科技介绍了石墨炔(GDY)在计算化学中的研究方向与应用前景。通过DFT、GW/TDDFT、NEB、MD/AIMD与GCMC等方法,可探讨其电子结构、缺陷与掺杂效应、吸…
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载流子:从基本概念到能带结构
说明:这篇文章华算科技系统阐述了载流子的基本概念、分类及其在能带结构中的行为机制。通过阅读,您将掌握电子和空穴作为载流子的核心特性,学会区分本征与外延激发载流子的形成方式,并理解能…
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VASP态密度计算流程
VASP非自洽计算 非自洽计算(Non-self-consistent Calculation)是在自洽计算的基础上进行的进一步计算,其目的是在已有的自洽波函数和电荷密度的基础上,…