能带结构

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：如何通过能带结构图区分材料的半导体性和金属性，以二硫化物单层材料为例，分析零压力下存在1.58eV带隙的半导体特性，及施加20%…

掺杂对半导体能带结构的影响是一个复杂而重要的研究领域，涉及材料科学、凝聚态物理和电子工程等多个学科。掺杂是指通过向半导体材料中引入特定的杂质原子，以改变其电子结构和导电性能。 这种…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：在Materials Studio使用CASTEP计算时，勾选“metal”选项的关键判断及影响：金属体系需增加K点密度以提高精…

能带结构是固体物理学中一个非常重要的概念，它描述了固体中电子在周期性晶格中的能量分布。在固体中，电子受到原子核的吸引和与其他电子的相互作用，形成了一种量子力学上的能量状态。 这些能…

说明：本文华算科技系统阐释单一光催化剂因带隙矛盾、光生载流子快速复合及能量耗散所致的瓶颈，并以分子与半导体能级、Jablonski图与Marcus理论为镜，揭示构建异质结如何同步拓…

说明：本文华算科技系统梳理了从Ⅱ型、传统Z型、全固态Z型、直接Z型到最新S型异质结的发展历程，深入剖析各类型能带排列、电荷迁移机制与光催化性能优劣，详解XPS、KPFM等原位表征如…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师介绍了半导体领域DFT计算特训营聚焦钙钛矿、二维材料及表面电子性质，分析能带结构、缺陷态、吸附特性等，探讨态…

能带结构是固体物理和材料科学中的一个核心概念，它描述了固体中电子的能量分布情况。能带结构的计算对于理解材料的电子性质（如导电性、光学性质等）至关重要。能带结构的基本概念 能带结构是…

说明：本文华算科技介绍了掺杂的定义、原理及在不同领域的性能提升机制。掺杂通过引入杂质原子改变材料的电子能带结构，分为n型和p型掺杂，分别增加电子或空穴浓度。掺杂可构筑P-N结实现电…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师介绍了DFT计算中电子性质分析的关键内容，包括电荷密度、自旋密度、态密度、能带结构等！ 朱老师讲VASP，华…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师介绍了钙钛矿材料的电子结构计算，包括能带结构、态密度及投影电荷密度分析！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术…

说明：本文华算科技介绍了离子电导和电子电导的机理、特点及其应用。离子电导依赖于电解质中的离子迁移，而电子电导则涉及金属或半导体中的自由电子运动。文章分析了影响这两种电导的因素，如离…

说明：本文华算科技系统介绍了半导体能带结构、载流子类型及杂质掺杂原理。读者可掌握PN型半导体形成机制、费米能级变化规律及载流子浓度计算方法，为理解半导体器件工作原理和材料设计奠定理…

半导体掺杂模型是现代半导体物理和器件设计中的核心内容之一，它通过引入杂质原子来改变半导体材料的电子结构和导电性能，从而实现对半导体材料特性的精确控制。掺杂不仅影响半导体的能带结构、…

文章华算科技系统梳理了凝聚态物理与实验光谱中两大核心表征维度——“E空间”（能量维度）与“k空间”（波矢维度）——各自的物理内涵、适用范围及相互转换机制：阐明波矢k作为动量与空间频…

说明：本文华算科技深入探讨了欧姆接触与肖特基接触的定义、内部机制、本质区别，以及在金属-半导体界面中的特性与应用。详细分析了它们的形成原理、能带结构变化、电流 – 电压…

说明：文章华算科技系统梳理了能带的形成、定义及三大核心公式，逐一展示紫外可见漫反射光谱、Mott-Schottky、XPS价带谱、PL与DFT、COHP等实验-计算手段，最后汇总了…

说明：本文华算科技主要讲解材料的能带结构，理清其定义（E-k关系）、核心要素（价带、导带、禁带、费米能级）及理论基础（薛定谔方程、布洛赫定理）与模型，包含其对材料电学/光学/热电性…

说明：本文华算科技章系统梳理了成键轨道与反键轨道的定义及σ/π、σ*/π*分类，总结其对如何影响材料性能，并给出键级公式、单双三键本质等应用，最后本文逐一列举PES、IR、XPS、…

说明：本文华算科技主要介绍了电催化中的电子结构调控。首先定义了电子结构调控，包括能带结构、态密度等关键参数，并阐述了d带中心理论。接着强调其重要性，如优化吸附能、降低活化能、提高电…