空位

说明：本篇华算科技系统阐述了内建电场（BIEF）的形成原理及作用，详细介绍了通过异质结、空位、掺杂和非晶化四大策略构建BIEF的方法。阅读本文，您将掌握如何通过设计材料内部电场来高…

说明：本文华算科技介绍了晶格畸变和晶格应变的概念、产生机制、引入方式、表征方法。文中详细阐述了掺杂、辐照、异质结构失配等引入方式，以及HR-TEM、XRD、拉曼光谱、XAFS等表征…

说明：本文华算科技详细介绍了材料表面缺陷的分类及其形成原因和影响，重点阐述了多种检测技术，包括宏观光学显微镜、白光干涉仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子…

说明：这篇文章华算科技详细介绍了电子结构调控的策略、优势及其在材料科学中的应用。通过元素掺杂、缺陷工程、界面工程等手段，可以精准调控材料的电子结构。结合具体案例，展示了这些策略的实…

说明：本文华算科技介绍了内建电场（BIEF）的概念、形成机制、重要性、表征方法及调控策略。内建电场可通过异质结界面、极性表面、缺陷掺杂和应力梯度形成。文章还详细介绍了通过如DFT和…

说明：本文聚焦空位与掺杂两大材料缺陷工程核心策略，系统解析二者定义、相关公式、构建方法及典型应用场景。深入剖析二者的核心关系，明确本质区别与应用边界，展现单独调控与协同作用的性能差…

说明：本文华算科技详细介绍了氧空位的概念、形成机制、作用。对比总结了氧空位的表征方法，如XPS、EPR、TEM、HRTEM、STEM、化学滴定法、拉曼、同步辐射、PALS等，同时还…

说明：本文华算科技介绍了晶体缺陷的定义、分类、形成影响因素及其作用。缺陷按维度可分为点、线、面、体缺陷，还可按来源、成分等分类。其形成受热力学、动力学因素影响。缺陷对材料的电子、光…

说明：本文华算科技深入探讨了界面调控的多种策略及其在不同领域的应用。通过介绍掺杂、构筑应变、构筑异质结、引入空位等方法，文章展示了如何通过改变界面的结构和性质来优化材料的功能特性。…

1.什么是材料的内建电场   材料的内建电场（Built-in Electric Field, BIEF）是半导体或绝缘体内部因电荷分布不均自发形成的静电场，无需外加电压驱动。其本…

1.表面空位 表面空位，特别是氧空位，是半导体纳米颗粒中常见且重要的缺陷类型，对材料的光电性能和催化性能有显著影响。以ZnO、TiO₂和CdS等半导体为例，氧空位的存在可以通过以下…

说明：本文华算科技系统阐释能带、态密度、d带中心概念及其在催化中的作用机制，以及d带中心的调控策略。 什么是d带中心 d带中心是描述过渡金属原子中d电子平均能量水平的一个物理量。简…

说明：本文华算科技介绍了掺杂对物理性质（空位、相变、润湿性）、电子特性及反应路径的影响。读者可系统学习到掺杂如何优化催化活性，为开发高效电催化剂提供关键知识支撑。 什么是掺杂 通常…

说明：本文华算科技深入探讨了界面调控的多种策略及其在不同领域的应用。通过介绍掺杂、构筑应变、构筑异质结、引入空位等方法，文章展示了如何通过改变界面的结构和性质来优化材料的功能特性。…

说明：本文华算科技深入探讨了晶体材料中阴离子空位和阳离子空位的形成机制、特性及其对材料性能的广泛影响。文中详细阐述了空位的电荷状态、能带调制效应、对扩散行为和晶体结构的影响，以及在…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：Materials Studio计算中结构占位（occupancy）非整数导致软件报错问题，强调宏观统计与微观实际的差异，需将非…

说明：本文华算科技介绍了电子缺陷的种类及其调控方法，并探讨了高分辨电子显微技术、X射线吸收谱和电子顺磁共振等表征手段。通过阅读本文，读者将了解电子缺陷工程在材料性能提升中的重要性及…

说明：本文华算科技系统解析了表面重构的定义、机制、影响因素、表征方法及调控策略，阐明其如何通过动态改变材料表面结构、价态与配位环境来优化催化活性和选择性。阅读此文您将掌握利用外加电…

说明：本文华算科技系统介绍了电子结构调控的策略，包括自修饰（如掺杂、边缘和空位工程、官能团修饰）与多相修饰（如异质结构构建）。读者可系统学习到电子结构与性能的关联，了解如何通过原子…

说明：本文华算科技从原子排列与非晶化、晶体平面和晶界、晶格失配与应变、晶体缺陷与原子空位、晶体相与相变等方面，详细阐述了晶体结构如何影响材料的宏观性能。读者可以了解到晶体结构调控对…