晶格

说明：本文华算科技全面探讨了晶格失配与应变效应的定义、对比、调控机制及应用。通过深入分析晶格失配引发的应变效应在结构、电子结构、力学和界面物理中的多尺度响应，揭示了其在材料性能调控…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：朱老师使用Vaspview构建镍的面心立方晶体结构，导入后显示晶格常数和原子坐标，并简要说明模型构建过程，为后续界面切割、…

本视频由华算科技-朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：如何构建羟基氧化镍铁模型。首先，介绍了羟基氧化镍的构建过程，接着将真空层加大并替换部分原子以构建羟基氧化镍铁。过程中，强调…

本视频由华算科技-朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：如何使用VASP处理工具进行晶体结构的创建与调整。首先，介绍了如何通过工具创建晶体结构，包括自定义创建晶体结构以及调整晶体…

说明：本文华算科技深入探讨了晶格应变工程在调控铁性功能材料性能中的应用，包括化学压力、物理压力、外延应变和相界面应变工程等方法。通过介绍不同应变工程策略的原理和实例，读者可以了解到…

说明：本文华算科技系统阐述了晶格应变的定义、形成机制及其应用。同时解释了晶格应变源于原子间距偏离理想晶格，由核壳失配、载体作用、缺陷、合金化及纳米形变五大因素引发。同时结合催化反应…

说明：本文华算科技深入解析电催化中自旋态（低/中/高自旋）的核心作用，阐明其通过调控金属–配体键强度及中间体吸附能优化催化活性，系统地介绍尺寸效应、缺陷诱导、晶格取代等…

说明：华算科技通过本文系统阐释了晶格畸变与晶格应变的核心概念、差异及其在光/电催化中的关键作用。您将清晰理解：畸变源于局域缺陷/掺杂导致的无序结构变化，而应变是宏观应力引发的晶格连…

一、晶格应变的定义与量化 晶格应变指材料在外力或化学作用下晶格常数发生形变的现象，通常以百分比形式量化。根据应变方向可分为单轴应变（沿特定晶向）和多轴应变。其计算公式为： (ε) …