晶格

说明：本文华算科技介绍了负载与掺杂的概念、作用原理及核心区别。负载是将功能性物质附着于载体表面或孔道内，通过界面作用调控表面性能；掺杂是将异质元素融入基体晶格，改变本征性能。二者在…

说明：本文华算科技介绍了空位和掺杂这两种重要点缺陷。空位是晶格中原子缺失形成的本征缺陷，其形成与热力学相关，可影响材料电子结构和电学性质。掺杂是人为引入杂质原子改变材料性能的过程，…

说明：本文华算科技介绍了晶格畸变的概念、本质、原因及分类。晶格是晶体中原子按周期性规律排列形成的三维空间骨架，而晶格畸变是指原子排列偏离理想晶格的周期性和对称性。晶格畸变的产生原因…

说明：本文华算科技系统阐述了凝聚态物理中的核心概念——声子。声子是描述晶体中原子集体振动量子化的准粒子，具有波粒二象性、玻色子统计等特性，分为声学支和光学支。它主导了固体热传导、电…

说明：本文华算科技全面介绍了固溶体的概念、分类、形成原理及性质。固溶体是由溶质原子均匀分布于溶剂晶格中形成的稳定体系，分为置换型、间隙型和混合型。其形成受晶格匹配、热力学和动力学因…

说明：本文华算科技系统介绍了掺杂：定义其通过异质原子引入调控电子结构、晶格与吸附；详述提升活性、导电性、稳定性的作用；介绍XPS、DFT、XAFS、TEM、XRD、AC-STEM、…

在催化研究中，氧空位被广泛认为是决定催化活性的核心因素之一。本文华算科技将从氧空位的定义出发，系统阐述氧空位的重要性、关键公式、表征方法以及结合案例说明如何有效利用氧空位提升催化性…

说明：本文华算科技全面探讨了晶格失配与应变效应的定义、对比、调控机制及应用。通过深入分析晶格失配引发的应变效应在结构、电子结构、力学和界面物理中的多尺度响应，揭示了其在材料性能调控…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：朱老师使用Vaspview构建镍的面心立方晶体结构，导入后显示晶格常数和原子坐标，并简要说明模型构建过程，为后续界面切割、…

本视频由华算科技-朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：如何构建羟基氧化镍铁模型。首先，介绍了羟基氧化镍的构建过程，接着将真空层加大并替换部分原子以构建羟基氧化镍铁。过程中，强调…

本视频由华算科技-朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：如何使用VASP处理工具进行晶体结构的创建与调整。首先，介绍了如何通过工具创建晶体结构，包括自定义创建晶体结构以及调整晶体…

说明：本文华算科技深入探讨了晶格应变工程在调控铁性功能材料性能中的应用，包括化学压力、物理压力、外延应变和相界面应变工程等方法。通过介绍不同应变工程策略的原理和实例，读者可以了解到…

说明：本文华算科技系统阐述了晶格应变的定义、形成机制及其应用。同时解释了晶格应变源于原子间距偏离理想晶格，由核壳失配、载体作用、缺陷、合金化及纳米形变五大因素引发。同时结合催化反应…

说明：本文华算科技深入解析电催化中自旋态（低/中/高自旋）的核心作用，阐明其通过调控金属–配体键强度及中间体吸附能优化催化活性，系统地介绍尺寸效应、缺陷诱导、晶格取代等…

说明：华算科技通过本文系统阐释了晶格畸变与晶格应变的核心概念、差异及其在光/电催化中的关键作用。您将清晰理解：畸变源于局域缺陷/掺杂导致的无序结构变化，而应变是宏观应力引发的晶格连…

一、晶格应变的定义与量化 晶格应变指材料在外力或化学作用下晶格常数发生形变的现象，通常以百分比形式量化。根据应变方向可分为单轴应变（沿特定晶向）和多轴应变。其计算公式为： (ε) …