晶体缺陷
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透射电镜（TEM）赋能半导体：器件表征、成分分析及故障定位
总结：本文介绍了透射电子显微镜（TEM）在半导体行业的核心应用价值、关键成像技术，以及元素分析技术（EDS、EELS、EFTEM），还阐述了电子断层摄影术、电子全息术等先进技术在半…
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TEM 经典论文(1928-1970)梳理：晶体缺陷、成像技术和衍射理论
总结：本文介绍了1928-1970年间材料/物理领域与透射电子显微镜（TEM）相关的经典论文，重点梳理了TEM在晶体缺陷研究中的关键突破（如位错、沉淀物、晶界、无沉淀区等缺陷的成像…
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晶体缺陷从入门到精通：原理、方法与储能应用实例
说明：本文华算科技系统阐述了晶体缺陷的定义、分类及其关键作用与原理，并详细介绍了多种缺陷调控策略。阅读本文，您将全面了解如何通过精准设计缺陷来显著提升材料的离子扩散能力、电子导电性…
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晶体缺陷的定义、分类及其调控方法
说明：本文华算科技系统介绍了晶体缺陷的定义、分类及其调控方法。晶体缺陷是晶体结构中局部原子排列偏离周期性规律的现象，分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。文中详细阐述了通过固态-气态、固态-…
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晶格畸变与晶格应变：概念辨析、表征技术及在光/电催化中的作用机制
说明：华算科技通过本文系统阐释了晶格畸变与晶格应变的核心概念、差异及其在光/电催化中的关键作用。您将清晰理解：畸变源于局域缺陷/掺杂导致的无序结构变化，而应变是宏观应力引发的晶格连…
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如何调控晶体缺陷？氧空位、晶界效应、动态重构、缺陷工程、选择性优化！
晶体缺陷通过调控催化剂的电子结构、活性位点构型及反应路径，显著影响催化剂的选择性。例如，氧空位（如CeO₂中的氧缺陷）可增强电子转移能力，优先促进特定中间体的生成 ；晶界和位错（…
