晶体材料

面缺陷是晶体材料中一种重要的二维缺陷，其特点是缺陷在两个方向上延伸，而在第三方向上的尺寸非常小。这种缺陷广泛存在于工程材料中，对材料的物理、化学和力学性能具有显著影响。本文华算科技…

说明：本文华算科技围绕XRD分析晶格应变展开，首先阐释应变的定义及产生机制，并分类介绍弹性、塑性、残余、热及界面五种常见类型。继而基于布拉格定律说明XRD通过衍射峰位移分析应变的原…

说明：本文华算科技主要讲解晶面效应的定义、核心要点及本质，理清其在电催化中至关重要的原因，包含决定活性位点、调控电子结构、主导反应路径、影响表面重构四方面，可掌握晶面效应对催化性能…

说明：本文华算科技介绍了晶格应变的概念、分类、引入方法、对性能的影响。晶格应变分为均匀应变和非均匀应变，以及拉伸、压缩和剪切应变。应变可通过外延生长、缺陷工程和机械载荷等方式引入。…

说明：本文华算科技介绍了晶面工程的概念、原理、重要性。晶面的结构和符号体系（如米勒指数）决定了其原子排列、表面能、电子结构等特性。晶面工程的核心在于利用晶面的各向异性，调控表面能、…

说明：本文华算科技系统介绍了半导体能带结构、载流子类型及杂质掺杂原理。读者可掌握PN型半导体形成机制、费米能级变化规律及载流子浓度计算方法，为理解半导体器件工作原理和材料设计奠定理…

01 引言   在晶体材料的宏观世界中，我们通常将其内部原子排列视为无限延伸、完美有序的周期性结构。然而，任何晶体都必然存在终结之处——表面。 表面的形成，从根本上打破了晶体内部沿…

说明：本文华算科技系统阐述氧空位定义、形成机制及其在催化、电学、光学、磁学中的关键作用，并详述XRD、EPR、XPS、拉曼、TEM、PL六种表征手段的原理、分析方法与优劣，为氧空位…

说明：本文华算科技主要讲解XRD结晶度降低的核心原因，理清物理、化学、微观结构、样品制备与测试四类关键影响因素，包含多种表征技术互相验证的方法，可帮助读者全面掌握XRD结晶度相关的…

说明：本文华算科技介绍了掺杂的定义、分类及其在晶体材料中的作用。重点阐述了XRD在掺杂分析中的应用，包括确认掺杂剂的固溶状态、评估相纯度、定量分析晶格参数变化和确定掺杂位点等。通过…

说明：本文聚焦晶格畸变与晶格应变的核心差异与关联，系统解析二者定义、量化方法及表征技术，区分不同类型的晶格畸变与晶格应变的特征。 一、晶格畸变是什么？   晶格畸变指多种不同尺寸、…

说明：本文华算科技介绍了单晶与多晶材料在结构、分类、缺陷演化、电学与磁学行为以及形核与生长行为等方面的差异。单晶具有长程有序的原子排列和单一晶向，而多晶由多个晶粒组成，晶粒间存在晶…

透射电镜（TEM）是什么？ 透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope， TEM）于1932年左右发明，是一种以波长极短的电子束作为电子光源，…

在 XRD（X 射线衍射）分析中，非晶体（无定形物质）的衍射图谱通常表现为宽化的 “漫散射峰”（也称 “晕峰”），而非像晶体那样的尖锐衍射峰。但实际测试中可能观察到不同非晶体样品的…

  X射线粉末衍射仪（XRD）通过测量材料对入射X射线的衍射来获取样品的晶体结构信息，是一种常用的材料结构和成分分析技术。XRD测试系统中，存在铜（Cu）、铬（Cr）、钴（Co）、…

作者：王同敏，王琨，朱晶，曹飞，谢红兰，黄万霞，包永明 1 引言 金属及其合金是一类重要的结构和功能材料,大部分的金属合金制品成形过程都需经过一次熔化和结晶过程,而结晶组织往往对制…

       本文修订了立方晶体金属的立方织构(001)[100]、剪切织构(001)[110]、高斯织构(110)[001]和黄铜织构(110)[112]的理论极图。这些基础数据…

面缺陷是晶体材料中一种重要的二维缺陷，其特点是缺陷在两个方向上延伸，而在第三方向上的尺寸非常小。这种缺陷广泛存在于工程材料中，对材料的物理、化学和力学性能具有显著影响。本文华算科技…

说明：DFT计算的初始结构是基于化学认知等构建的近似模型，为后续优化提供基准，其合理性影响计算结果。 初始结构分分子体系、晶体材料等四大类型，构建需遵循化学合理、对称性约束和计算效…

单晶与多晶的定义单晶和多晶是晶体材料的两种基本形态，它们在结构、性能及应用方面存在显著差异。 其中，单晶体是由一个连续的、无缺陷的晶体结构组成，其原子排列在三维空间呈现出高度有序且…