态密度

说明：本文华算科技系统介绍了半导体能带结构、载流子类型及杂质掺杂原理。读者可掌握PN型半导体形成机制、费米能级变化规律及载流子浓度计算方法，为理解半导体器件工作原理和材料设计奠定理…

ELF（Electron Localization Function，电子局域函数）是一种用于描述电子在空间中定域程度的数学工具，它通过将体系中的电子云划分为不同的定域区域，直观地…

说明：本文华算科技介绍了能带理论的定义、形成机制、核心概念、实验探测方法。布洛赫定理解释了能带的周期性和波浪形色散特征。文中还探讨了价带、导带、禁带等关键概念，以及绝缘体、半导体和…

说明：本文华算科技就UPS的工作原理、表征内容、谱图分析等内容展开详细的分析。 什么是UPS？ 紫外光电子能谱（Ultraviolet Photoelectron Spectros…

说明：本文华算科技介绍了光电效应的定义、量子本质、四大分类（外/内光电效应、光生电压效应、光电导效应）及其功能作用。文中详细阐述了电子激发、电荷分离与界面调控等机制，总结了其在光电…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：使用VASP进行吸附氢的态密度(DOS)计算步骤，包括复制优化文件夹、修改INCAR参数、生成DOS数据及通过脚本拆解分析…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP态密度计算步骤，包括读取波函数与电荷密度、使用origin绘制总态密度曲线，分析费米能级附近电子态分布等！ 朱老师…

Q1：这个gcc was not found是需要update gcc吗，还是对计算结果没影响 A：不管他 Q2：朱老师，体系原子构型下每个原子的球对称电荷密度怎么求呢？ A：拆开…

说明：本文华算科技主要介绍了电催化中的电子结构调控。首先定义了电子结构调控，包括能带结构、态密度等关键参数，并阐述了d带中心理论。接着强调其重要性，如优化吸附能、降低活化能、提高电…

  VASP非自洽计算原理 非自洽计算（Non-self-consistent Calculation）是在自洽计算的基础上进行的进一步计算，其目的是在已有的自洽波函数和电荷密度的…

Q1：朱老师，晶体空位缺陷形成能要减去单个原子的能量，那么这个能量是这个原子在单质中的能量，还是建一个晶胞中放单个原子的能量呢？ A：晶体中一个原子的能量，选择一个最稳定的单质中的…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：钙钛矿材料的态密度(DOS)计算方法，通过VASP软件在已有结构优化基础上，设置输出轨道投影、提高数据精度，并保持电荷密度…

Q1：朱老师，我看您在B站上的缺陷讲解，写的是 而这篇文献中讲的是 不知道是怎么回事? A：只是定义不一样，两者等价 Q2：朱老师，在算半导体能带图时为什么会有一部分越过了0点 A…

说明：本文华算科技系统阐释能带、态密度、d带中心概念及其在催化中的作用机制，以及d带中心的调控策略。 什么是d带中心 d带中心是描述过渡金属原子中d电子平均能量水平的一个物理量。简…

Q1：朱老师，在建立一系列合金slab模型以后，我想要利用d带中心其吸附能力进行衡量，第一个问题：用总态密度进行d带中心的计算可以得到slab模型的吸附强弱，那么我利用表面不同元素…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：使用VaspView工具分析钙钛矿材料的态密度(DOS/PDOS)，导入DOSCAR数据后，展示总体态密度及分轨道贡献，同…

Q1：朱老师，可以取周期性结构的重复单元放在晶胞里做吸附计算吗？ A：这样不再是周期性结构，只能用0维来处理，最好用高斯计算 Q2：朱老师，开始算了一点点然后计算就停了，出现这个报…

VASP非自洽计算原理 非自洽计算（Non-self-consistent Calculation）是在自洽计算的基础上进行的进一步计算，其目的是在已有的自洽波函数和电荷密度的基础…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：朱老师通过VASP计算单层BN的态密度(DOS)，展示非自治计算流程及VASPview工具分析结果，重点解析总态密度与轨道…

说明：本文华算科技综述了态密度（DOS）在电催化领域中的概念与应用，重点关注近年来基于第一性原理密度泛函理论（DFT）的计算研究成果。 文章首先介绍态密度的定义与计算方法，其次讨论…