导带底
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晶格失配与应变效应的定义、对比、调控机制及应用
说明:本文华算科技全面探讨了晶格失配与应变效应的定义、对比、调控机制及应用。通过深入分析晶格失配引发的应变效应在结构、电子结构、力学和界面物理中的多尺度响应,揭示了其在材料性能调控…
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如何分析差分电荷密度?如何分析价带顶、导带底DOS成分?
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:如何分析材料的态密度(DOS)及分波态密度,通过选择特定原子(如碳、锡)观察其对价带顶和导带底的贡献,重点关注P轨道作用。同时演…
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VBM、CBM、能带和态密度有什么关系?
说明:在固体物理与材料科学中,电子能级的分布及其填充方式决定了材料的电学、光学与化学性质。价带顶(VBM, Valence Band Maximum)与导带底(CBM, Condu…
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价带顶(VBM)/ 导带底(CBM)与 HOMO/LUMO:跨固体物理与分子化学的电子能级描述对比
说明:在材料科学与理论化学的研究中,理解电子能级的分布与能隙的形成对于预测材料的电学、光学乃至化学反应性具有决定性意义。 在固体物理中,电子能级结构通常以能带理论为基础,采用价带顶…