宽禁带半导体材料

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  氮化铝（AlN）半导体性质

  氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种典型的宽禁带半导体材料，因其优异的物理和化学性能，在光电子器件、功率器件、深紫外探测器等领域具有广泛的应用前景。 本文将…

  2025年6月16日