引言 分子吸附的 Eads 同时受几何高度、表面极化、分子取向和色散相互作用影响。vdW 修正改变的不只是吸附能大小，还可能改变吸附高度、位点排序和后续反应端点。对芳香分子、卤代分…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【DFT小白必看】磁性计算：亚铁磁构型能量计算！| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计…

引言 反应路径图最容易画得很漂亮，也最容易画错。很多图把中间体自由能、过渡态能垒、电位修正、pH 修正和气相参照都放在同一条线上，却没有说明每一段到底是什么量。结果看起来像完整机理…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP答疑汇总，内容涉及晶胞、氢键、态密度、费米能级、电荷密度、波函数、过渡态等！| 华算科技-朱老师讲VASP DFT…

引言 Janus MoSSe 和普通 MoS₂ 最大的差别，不只是把一侧 S 换成 Se。上下两面元素不同后，面外非对称电荷分布会让真空能级、功函数和吸附构型随表面朝向改变。Jan…

引言 应变效应听起来很直观：把晶格拉长或压短，再算吸附能变化。但真正做起来，问题会马上出现：到底固定面内晶格还是让原子完全弛豫？吸附前后是否用同一个应变基准？应变改变的是电子结构，…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：【VASP答疑】VASP计算答疑汇总版，内容涉及异质结建模、结构优化、过渡态、Bader电荷、催化、吸附等！| 华算科技-…

引言 OER 机理判断最容易混在一起的地方，是把所有含氧中间体都放进 *OH、*O、*OOH 三步自由能里，然后默认它就是吸附质演化机制。对于含氧化物、羟基氧化物和高价过渡金属位点…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP答疑汇总，内容涉及吸附能、钙钛矿、结构优化、电荷密度、晶胞、带隙、超胞等！| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计…

引言 热催化反应和电化学自由能图最大的差别，是温度、压力和气相分子熵不能被随意略去。VASP 给出的总能通常接近 0 K 电子能，不能直接当作目标温度下的 Gibbs 自由能。热催…

引言 电催化 DFT 计算常从真空 slab 开始，但真实反应发生在电解液界面。把隐式溶剂打开后，很多中间体自由能会变化，尤其是 *OH、*OOH、*COOH、*OCHO 这类极性…

引言 很多吸附计算先在真空 slab 上比较 *COOH 或 *OOH，然后发现加一两个 H2O 后自由能顺序变了。这个变化不一定说明原来的位点算错了，而是说明这两个中间体本来就很…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP计算避坑指南，10个高频易错点排雷！内容涉及异质结、结构优化、能带、功函数、催化剂、掺杂等！| 华算科技-朱老师讲…

引言 氧化物 slab 建好以后，很多同学会直接拿裸露金属位或桥氧位做吸附。这个模型清楚、干净，也最容易收敛。但在水、酸碱环境或电化学条件下，表面很可能已经被质子化、羟基化，甚至形…

引言 NEB（nudged elastic band）在 VASP 中用一串中间图像连接反应初态 IS 和终态 FS，通过弹簧约束和垂直于路径方向的真实力优化，近似寻找最低能路径及…

引言 金属-载体强相互作用常被用来解释单原子、团簇或纳米颗粒催化剂的稳定性和选择性，但在 VASP 计算里它不是一个单独输出量。一个可复查的 MSI/SMSI 判断，至少要同时回答…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP计算答疑汇总，内容涉及异质结、过渡态、结构优化、吸附能、COHP等！| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算 朱…

引言 电催化体系里出现 Cl⁻、F⁻、Br⁻ 或 I⁻ 时，计算模型会从“单个中间体吸附”变成“电解质离子参与的界面状态”。卤素离子可能占据金属顶位、桥位或近表面溶剂层，也可能通过…

引言 d带中心是很好用的入门描述符，但它不是吸附强弱的万能按钮。很多体系里，εd 上移确实会增强吸附；可一旦遇到多元素位点、强配位重构、p 轨道参与、溶剂电场或自旋变化，单一 εd…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP计算答疑汇总，内容涉及钙钛矿、结合能、COHP、成键、费米能级、半导体、d带中心等！| 华算科技-朱老师讲VASP…