说明：本文华算科技主要介绍缺陷数量与催化活性的计量方式、缺陷间相互作用对单个位点反应的影响、DFT 超胞中的缺陷浓度含义，以及确定工作态缺陷区间所需的计算和实验信号。 缺陷数量与活…

说明：本文华算科技主要介绍自旋极化计算的密度变量、局域磁矩与电子占据，以及结构能量比较和实验自旋行为中的适用条件。 自旋极化计算的基本定义是什么？ 给定原子位置和电子总数，DFT会…

说明：本文华算科技主要介绍反应级数与决速步这两个化学动力学概念：反应级数怎样由速率方程和对数坐标斜率定义与测定，决速步怎样把多步机理化简为一条速率方程并决定级数的取值，催化剂表面覆…

说明：本文华算科技主要介绍溶液中电子转移的 Marcus 图像，解释溶剂重组、活化能与倒转区，以及经典模型的适用条件。 电子转移为什么会牵动溶剂？ 一个分子失去电子，另一个分子得到…

说明：本文华算科技主要介绍 AIMD 与经典 MD 的受力来源、配位与成键描述、电子和原子核近似，以及模拟时长对材料计算的影响。 AIMD经典MD定义与受力来源？ 给定液态水中全部…

说明：本文华算科技主要介绍功函数、费米能级与真空能级的定义、能量零点的选择，以及半导体带边、表面偶极和光电子能谱中的能量关系。 三个量在同一条能量轴上怎样定义？ 费米能级 EF描述…

说明：本文华算科技主要介绍 EXAFS 傅里叶变换峰的数学含义，散射相位怎样改变表观峰位，多条路径与有限 k 区间怎样牵动峰顶，以及相位校正和 FEFF 拟合怎样得到可报告的原子间…

说明：本文华算科技主要介绍化学键断裂在计算模型中的判断依据，包括键长和配位变化、电子密度拓扑、ELF 与成键能量分析，以及反应路径和动力学轨迹的相互核对。 化学键断裂的定义与计算来…

引言 MoS₂ 做 HER 时，常见说法是边缘位和缺陷位更活跃。但 1T/2H-MoS₂ 的相边界问题更细：一侧是半导体 2H 相，一侧是金属性 1T 相，中间还有原子滑移形成的边…

说明：本文华算科技主要介绍电沉积的反应原理、电量与沉积质量的换算、镀层组织的形成，以及合金和氢氧化物的电化学生长。 电沉积的基本含义是什么？   电沉积利用电极反应在导电…

EIS是研究电极界面过程、反应动力学及传质行为的重要工具，但Nyquist图、Bode图和等效电路往往让人难以下手… 这份118页EIS课件从阻抗基础讲起，系统涵盖： …

做科研发顶刊，不会理论计算怎么行？自由能台阶图、火山曲线、d带中心—这些电催化领域的“冲刊神器”，你一定要掌握！ 本套华算科技《电催化计算顶刊教程》含 100页爆款课件 + 5小时…

还在纠结做模拟该选DFT、经典MD、AIMD、MC还是粗粒化？算出了径向分布函数、吸附能却不知如何解读？这份PPT从基本原理、计算结果分析到方法选择进行了全面图解，帮你彻底理清计算…

说明：本文华算科技主要介绍 SAXS 与 WAXS 的散射角和结构尺度，并区分颗粒尺寸、颗粒间距、晶面间距与晶畴尺寸。 SAXS/WAXS小角广角何定义？ SAXS 是小角 X 射…

说明：本文华算科技主要介绍微孔、介孔和大孔的孔容占比定义、吸附数据的测量范围、分段积分算法，以及气体吸附与压汞数据的合并条件。 孔容占比的分子和分母是什么？ 一份多孔材料报告中的孔…

说明：本文主要介绍同步辐射硬X射线吸收谱中的常见高能吸收边。这里的“高能元素”不是元素周期表中的正式分类，而是指选定吸收边落在较高光子能量实验窗口内的元素；文章以15—35 keV…

说明：本文华算科技主要介绍 EDS、XRF、ICP-OES 和 XPS 四种元素含量测定方法各自测量什么信号、把样品的哪一部分算进“含量”、从谱线强度换算成数值时偏差在哪一步进入，…

说明：本文华算科技主要介绍 d 带中心相对费米能级移动的含义、反键态占据与吸附强度的关系，以及合金和动态配位体系中的不同吸附响应。 d带中心与费米能级是什么？ 费米能级标定电子的化…

说明：本文华算科技主要介绍能带对光吸收、发光、光电化学转换和热电输运的影响，以及带隙、电子态对称性、曲率和能谷位置改变后的性能差异。 能带是什么，计算中的曲线从何而来？ 晶体中电子…

  说明：本文华算科技主要介绍活性位点的原子组成、配位环境、协同反应，以及实验识别和位点计数的物理含义。   活性位点的定义包含哪些配位信息？   在非均相催化中，反应物接触固体表…