绝缘支撑在光催化中的作用尚未被充分理解。
2025年4月23日，美国纽约市立大学皇后学院Michael V. Mirkin、中国科学院大连化学物理研究所范峰滔在国际知名期刊Journal of the American Chemical Society发表题为《Photoelectrochemical Imaging of Charge Separation between MoS2 Triangles and Insulating SiO2 Support》的研究论文。
利用高分辨率光扫描电化学显微镜（photo-SECM），作者观察到附着在二氧化硅基底上的几层厚的二硫化钼（MoS2）三角形中存在明显的空间电荷分离。
空间分辨表面光电压（SPV）测量结果表明，在约1.7 kV/cm的内建电场驱动下，光生空穴从MoS2迁移到SiO2表面，横向移动距离超过2 μm。
在较厚和不太均匀的薄片中，电荷分离主要是由MoS2内部的驱动力造成的，二氧化硅的作用并不明显。
这些发现强调了绝缘体–半导体相互作用对有效电荷分离的重要性，为优化光催化系统提出了新的策略。
图1：MoS2三角形的光扫描电化学显微镜图像
图2：单层和双层MoS2三角形的光学与电化学性能
图3：十层MoS2三角形的电化学与形貌
Photoelectrochemical Imaging of Charge Separation between MoS2 Triangles and Insulating SiO2 Support, J.Am. Chem. Soc., 2025. https://doi.org/10.1021/jacs.5c02136
声明：如需转载请注明出处（华算科技旗下资讯学习网站-学术资讯），并附有原文链接，谢谢！